Si/SiO2吸放气率测试及机理分析

本文基于材料放气测量原理,采用定容、流导、双通道等方法,对Si衬底、SiO2以及Si/SiO2等有代表性的集成电路制造材料的放气率进行了测试。研究了室温条件下测试系统的本底放气率对测量结果的影响,并在定容、流导测量方法的基础上,通过精确计算本底放气率的方式,计算材料放气率;为了进一步准确进行本底放气率测量,采用双通道并行法,在测量过程中同时对系统本底放气率进行直接测量;在测量中为了研究材料放气率随温度变化规律,采用光辐射加热,温度控制范围为50℃~130℃,分别研究了不同温度下其吸放气的规律,并用QSM分析了气体的成分。