极低暗电流InGaAs MSM-PD的光电特性研究

本文首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了InGaAsMSMS－PD光电探测器．实际结构表明：具有15nm的P－InP和100nmInP双重势垒增强层的器件极大地减小了暗电流，器件的暗电流均小于10nA，响应度为0．83A／W，FWHM为70ps，证明这是一种减小MSM－PD暗电流的有效设计方法．

低暗电流InGaAs金属－半导体－金属光电探测器

首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了ＩｎＧａＡｓ金属－半导体－金属光电探测器。实验结果表明：具有１５ｎｍ的ｐ－ＩｎＰ和１００ｎｍ的ＩｎＰ双重势垒增强层的器件，极大地减小了暗电流，最小达４．７ｎＡ（１０Ｖ）。