双重图形技术的优化设计

作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一,双重图形技术(DPT)面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用,其中最突出的因素是设计的复杂度和数据量急剧增长。通过分析版图分解问题和光学邻近校正(OPC)中的信息重用,在重分解修正后的版图与前次OPC数据-分段和段偏移量之间建立了关联,并进行了相关实验。实验结果表明,在保证版图校正精确度的同时,可节省大量的运行时间,同时也有效地缩短了DPT的流程。

一种新型双重图形技术拆分方法

基于奇数周期理论,提出一种新型快速高效率的双重图形技术(DPT)拆分方法。对于图形拆分过程中遇到的剩余违规冲突问题,分析其存在的原因,阐述了已知解决途径;基于奇数周期理论,详细阐述了新型图形拆分方法的实现步骤,该方法主要适用于未在设计阶段考虑兼容DPT的设计版图,能够对版图顺利完成包含更改设计和引入切割的图形拆分过程;采用新方法拆分实际版图,进一步证明了该方法能够同时减少剩余冲突和引入切割数目;采用EDA工具模拟了拆分之后进行光源掩膜优化(SMO)和光学临近效应修正(OPC)的光刻分辨率增强流程,验证了DPT能够提高分辨率、增大光刻工艺窗口。

刻蚀实现双重图形的前景

双重图形需要更新更苛刻的刻蚀能力，要求低于1.5nm CD均匀性、图形收缩和原位多层刻蚀。

SADP工艺中一类特殊二维图形的分解处理

自对准双重图型(SADP)技术广泛应用于28 nm以下节点逻辑电路制造工艺和存储器制造工艺。与其他双重图形技术(LELE,LPLE)相比,在处理二维图形分解时,SADP面临更复杂的要求。针对一种简单的二维图形,介绍了3种图形分解方法,可以有效改善线宽和对准工艺窗口。

蚀刻设备的现状与发展趋势

概述了蚀刻技术与设备的现状,针对32nm技术节点器件制程对蚀刻设备在双重图形蚀刻、高k/金属栅材料、金属硬掩膜及进入后摩尔时代三维封装的通孔硅技术(TSV)方面挑战,介绍了蚀刻设备的发展趋势。

32nm工艺及其设备

2007年9月英特尔推出全球首款32nm SRAM,2007年11月IBM推出32nm SRAM;2007年12月台积电推出32nm测试芯片。业界认为,2009年下半年量产32nm芯片。32nm芯片将采用193浸没式光刻与双重图形,高k电介质/金属栅极,超低k电介质,高kSOI等技术。为了使双重图形技术用于32nm节点,ITRS2006修正版提出了具体的要求。2007年ASML推出XT:1900I,2008年尼康推出NSR-S611C,以用于32nm光刻工艺。

光学光刻技术的历史演变

简要回顾了光学光刻技术的发展历程,从IC技术节点微细化要求对光刻技术的挑战方面讨论了光学光刻技术的发展趋势及进入32nm技术节点的可能性。

浸没式光刻向22nm挺进

简述了光学光刻技术在双重图形曝光、高折射率透镜材料及浸没介质、32nm光刻现状及22nm浸没式光刻技术的进展,指出了光学光刻技术的发展趋势及进入22nm技术节点的前景。

22nm光刻技术前景(英文)

在国际半导体技术蓝图(ITRS)指定的22nm节点中[1],该产业将在两种竞争的光刻解决方案中进行选择,这将取决于其产品的发展路线图。在某些情况下,业界甚至可能会同时使用两种方案。这两种竞争方案就是极紫外光刻技术(EUVL)和32nm节点由193nm浸没式双重图形光刻(DPL)扩展到多图形的光刻技术。讨论了两种技术,比较了两种技术所需的关键解决方案的现状,以及存在的挑战。

议论的法社会学:溯源与创新

本文从结构—功能范式的自创生转向的角度考察了社会系统理论从行为到沟通的演变,揭示了语言社会学派崛起的重要意义。通过卢曼改变对法律推理中利益衡量的态度以及提出“他者指涉”概念等学说修正的动向,发现法律议论形成双重结构的必要性和现实可行性,并认为他者指涉以及参照环境进行的语言博弈或许使法律系统远离平衡态,在这种场合有可能导致制度创新。在这里,秩序的反转图形以及第三方评判机制的合理设计具有决定性意义。为此,我们需要在不断生成的社会系统、不断建构的法律秩序的视野里重新探索法社会学的研究范式,把程序指向的法律议论作为切入点和基础。