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一种采用新颖的双重自适应补偿的低静态电流LDO稳压器的设计
被引量:
3
1
作者
叶强
来新泉
+2 位作者
袁冰
陈富吉
李演明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第10期2057-2063,共7页
设计了一种采用双重自适应补偿的两级结构LDO线性稳压器,该补偿技术能够产生两个随负载变化的零点以抵消不同负载条件下的极点变化带来的影响,从而保证系统的稳定性.与传统的设计方法相比,该补偿方法几乎不消耗电流,文中设计的LDO静态...
设计了一种采用双重自适应补偿的两级结构LDO线性稳压器,该补偿技术能够产生两个随负载变化的零点以抵消不同负载条件下的极点变化带来的影响,从而保证系统的稳定性.与传统的设计方法相比,该补偿方法几乎不消耗电流,文中设计的LDO静态电流小于1μA,并且采用折返式电流限制,减小了芯片的功耗.采用该双重自适应补偿的LDO已在Hy-nix0.5μmCMOS工艺线投片,当负载电流为300mA时,漏失电压为150mV,线性调整率为2mV/V,负载调整率为0.75%.测试结果表明,采用该双重自适应补偿结构的LDO工作良好.
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关键词
低漏失
稳定性
双重自适应补偿
低功耗
原文传递
题名
一种采用新颖的双重自适应补偿的低静态电流LDO稳压器的设计
被引量:
3
1
作者
叶强
来新泉
袁冰
陈富吉
李演明
机构
西安电子科技大学电路CAD所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第10期2057-2063,共7页
文摘
设计了一种采用双重自适应补偿的两级结构LDO线性稳压器,该补偿技术能够产生两个随负载变化的零点以抵消不同负载条件下的极点变化带来的影响,从而保证系统的稳定性.与传统的设计方法相比,该补偿方法几乎不消耗电流,文中设计的LDO静态电流小于1μA,并且采用折返式电流限制,减小了芯片的功耗.采用该双重自适应补偿的LDO已在Hy-nix0.5μmCMOS工艺线投片,当负载电流为300mA时,漏失电压为150mV,线性调整率为2mV/V,负载调整率为0.75%.测试结果表明,采用该双重自适应补偿结构的LDO工作良好.
关键词
低漏失
稳定性
双重自适应补偿
低功耗
Keywords
low drop-out
stability
dual active compensation
low consumption
分类号
TM44 [电气工程—电器]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种采用新颖的双重自适应补偿的低静态电流LDO稳压器的设计
叶强
来新泉
袁冰
陈富吉
李演明
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
原文传递
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参考文献
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