低电子亲和势内场发射阴极

平面阴极的场致发射显示器件由于性能优越、结构简单而具有很好的应用前景。这种器件要实用化 ,急需提高阴极的电子发射率。提出一种改进栅极结构的方法达到提高电子发射率的目的 ;介绍了双金属栅极的结构和制作工艺 ;阐述了利用两种金属的接触电位差降低阴极电子发射势垒的原理 ;解释了实验中低驱动电压时发射率提高较多的现象。与单金属栅极相比双金属栅极的阴极电子发射率提高了 5倍以上。