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一种低电压低静态电流LDO的电路设计
1
作者
杨阳
邹娜
毛小鸥
《现代电子技术》
2013年第4期130-132,共3页
设计一种低电压低静态电流的线性差稳压器。传统结构的LDO具有独立的带隙基准电压源和误差放大器,在提出一种创新结构的LDO,把带隙基准电压源和误差放大器合二为一,因而实现了低静态电流消耗的目的。设计采用CSMC0.5μm双阱CMOS工艺进...
设计一种低电压低静态电流的线性差稳压器。传统结构的LDO具有独立的带隙基准电压源和误差放大器,在提出一种创新结构的LDO,把带隙基准电压源和误差放大器合二为一,因而实现了低静态电流消耗的目的。设计采用CSMC0.5μm双阱CMOS工艺进行仿真模拟,这种结构LDO在轻负载情况下静态电流仅为1.7μA,输出暂态电压最大变化为9 mV。
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关键词
LDO
电源管理电路
低功耗设计
双阱cmos工艺
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职称材料
题名
一种低电压低静态电流LDO的电路设计
1
作者
杨阳
邹娜
毛小鸥
机构
华中科技大学
出处
《现代电子技术》
2013年第4期130-132,共3页
基金
湖北省自然科学基金(2010CDB02706)
中南大学基础研究基金(C2009Q060)
文摘
设计一种低电压低静态电流的线性差稳压器。传统结构的LDO具有独立的带隙基准电压源和误差放大器,在提出一种创新结构的LDO,把带隙基准电压源和误差放大器合二为一,因而实现了低静态电流消耗的目的。设计采用CSMC0.5μm双阱CMOS工艺进行仿真模拟,这种结构LDO在轻负载情况下静态电流仅为1.7μA,输出暂态电压最大变化为9 mV。
关键词
LDO
电源管理电路
低功耗设计
双阱cmos工艺
Keywords
LDO
power management circuit
low power design
twin-well
cmos
process
分类号
TN911.34 [电子电信—通信与信息系统]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种低电压低静态电流LDO的电路设计
杨阳
邹娜
毛小鸥
《现代电子技术》
2013
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