一种新型材料的温度控制器的设计

本文设计一种用锑化铟-铟—铟(InSb-In)共晶体薄膜磁敏电阻(MR)制成的双限温控器。实验表明,用InSb-In磁敏电阻作感温磁头设计的此温控器,具有灵敏度高,控温范围宽的优点,实验证明在低温区其灵敏度可以高达30mV/℃以上,常温下也可达到23mV/℃左右;其上下限温度调整范围可以从-40℃到+120℃之间;测温精度可达到±0.1℃。;另外它还具有性能稳定和对材料要求低等诸多优点,是一种值得推广应用的新型材料温度开关。