LaON/SiO2和HfON/SiO2双隧穿层MONOS存储器存储特性的比较

本文对比研究了LaON/SiO2和HfON/SiO2双隧穿层MONOS存储器的存储特性.实验结果表明,LaON/SiO2双隧穿层MONOS存储器具有较大的存储窗口,快的编程/擦除速度及好的疲劳和保持特性.其机理在于LaON较大的介电常数有效提高了编程/擦除过程中载流子的注入效率,较小的O扩散系数减少了界面陷阱,从而减少了保持期间存储电荷通过陷阱辅助隧穿的泄漏.而且N的结合在界面附近形成了强的La-N,Hf-N和O-N键,可有效降低编程/擦除循环应力对界面的损伤,使器件具有好的疲劳特性.此外,研究了退火温度对存储特性的影响,结果表明800 C退火样品的存储特性比700 C退火的好,这是因为800 C时NO退火可在LaON(HfON)中引入更多的N,且能更好释放应力,使介质中缺陷减少.