玻璃基片双面光刻对准工艺流程的研究

介绍了双面光刻对准原理及技术新发展,表明了不变焦对准的技术优势。针对玻璃基片设计了十字加方框的对准图样,经重新调焦,利用基片透明属性透过基片标记观测掩模标记实现对准,不再采用静态存储的掩模数字图像作为精对准基准,规避了可能由物镜侧移带来的对准误差。最后提供了几种常用的对准标记图样,并为了加工操作的便利引入了辅助搜索线。

双面光刻机运动控制系统设计分析

针对双面光刻机运动控制需求,提出模块化的设计方案,重点分析了对准工作台PID调节方法,实现了高动态响应、高精度运动控制。

DSP实现双面光刻底面对准系统中的图像采集与处理

在简述双面光刻对准系统原理的基础上,着重论述了如何利用DSP进行图像采集与处理,以实现底面曝光的高精度对准。

用于力敏传感器研制的简易双面光刻装置

利用原有的单面光刻设备,附加简单的真空吸附光刻附件,可以对图形尺寸较大的硅杯式力敏传感器进行双面光刻,实验表明利用这一装置研制的4×4触觉传感阵列,光刻精度满足要求.

双面光刻技术

普通的光刻技术是在硅片的一面利用光刻胶的保护作用,对SiO_2进行选择性化学腐蚀,从而在SiO_2层上得到与光刻掩模版相应的图形.双面光刻技术则是在硅片的上下两面同时刻蚀对准的图形,我厂在将单面光刻机改装成双面光刻机上已做出样片。

基于改进Gerchberg-Saxton算法的全息双面光刻方法

针对目前双面微器件加工方法步骤繁琐、效率低的问题,提出基于改进Gerchberg-Saxton(GS)算法的全息双面光刻方法,使用单个光源在玻璃基底的上下表面同时曝光,进行双面图形的制作。该方法通过计算不同轴向位置图案对应的组合全息图,并将其加载到空间光调制器(LCOS-SLM)上,对入射光场进行调制,从而在目标空间内实现双面图形重现。采用改进GS算法对距离焦面2 mm处的图案A与距离焦面4.06 mm处的图案B进行全息图计算与仿真重建。搭建实验装置,对3 mm厚透明石英玻璃基底的上下表面同时曝光,且对光场生成过程中的散斑、杂散光及串扰问题做出分析并提出解决方案,最终实现60μm线宽双层图案曝光,验证了所提方法进行双面光刻的可行性。所提方法使用单张全息图和单个光源,通过单次曝光即可在目标体积内生成多层任意图形,极大地简化了双面图形制作的步骤。

新型URE-2000S型紫外单、双面深度光刻机研制

重点介绍新近开发的用于单、双面深度曝光的URE-2000S新型紫外光刻设备的技术背景、工作原理、结构组成、技术措施以及总体性能。该设备采用了国内首创的CCD图像底面对准技术、单曝光头实现双面对准曝光,具有双面套刻对准精度高、操作简单、工作高效等优点。实验表明,该设备总体性能处于国产双面光刻的先进水平,接近国外同类产品水平。

双面深度光刻机控制系统设计

介绍了当今世界光刻技术的发展趋势,重点阐述了双面深度光刻机控制系统的功能、组成及各组成部分的软、硬件设计,最后简要总结了控制系统的特点。

用于MEMS加工的双面深度光刻机对准系统设计

比较了光刻机中几种常用的对准方式,并分析了其优缺点,在此基础上对双面深度光刻机底面对准系统的设计原理、结构及对准过程做了详细阐述,并进行了对准系统的精度分析,最后介绍了为系统实现所采取的其他技术措施。实践证明,该对准系统应用于深紫外双面深度光刻机中,系统运行稳定、可靠,完全能满足系统的精度要求。

基于双掩模光刻机的真空复印机构与工艺研究

介绍了双面光刻机的类型、工作原理及特点,研究分析了双掩模光刻机的曝光方式,提出了一种通过改进曝光模式、提高双掩模光刻机曝光分辨率及基片曝光线条均匀性的方法,并通过生产线工艺验证及数据分析,得出通过该工艺曝光模式,满足生产线实际工艺要求。

双面PSD器件的工艺研究

双面PSD器件具有很高的灵敏度、良好的瞬态响应特性、紧密的结构以及简单的处理电路等优点。介绍了PSD器件的制作技术。重点介绍了利用微细加工技术进行双面两侧分流电极型PSD的制作,解决了双面对准光刻技术的工艺难题,为双面高精度PSD器件的制作提供了一条工艺技术途径。

紫外线厚胶光刻技术研究及应用

紫外线厚胶光刻技术已广泛应用于 3D微机械结构的制作。本文选用AZ4 6 2 0和SU 8两种光刻厚胶 ,采用德国卡尔·休斯公司的MA 6双面对准光刻机 ,对紫外线光刻工艺条件进行了对比研究 ,结果表明 ,负性光刻胶SU 8的光敏性好 ,胶结构图形的侧墙较陡直 ,能够实现较大的深宽比 ,为复杂结构的三维微机械器件的制作提供了保证。

双面PSD器件的工艺制作

介绍了双面PSD器件的结构原理及其制作技术。重点介绍了双面对准技术，解决了双面PSD器件的工艺难题，研制出了灵敏度高、线性度好的双面PSD器件，为双面PSD器件的制作提供一条工艺技术途径。

HgCdTe光伏探测器抑制背景通量的研究

对于长线列焦平面器件,简单的单孔冷屏往往不能有效地抑制背景,本文在Hg1-xCdxTe光伏探测器背面镀制微孔冷屏的办法来降低背景。测试结果表明,探测器镀制微孔冷屏之后,可以使背景辐射通量大幅度减少,同时减少了光串音。从而证明微孔冷屏的确可以有效地抑制背景通量,减少光敏元响应面积扩大的问题,对于红外焦平面器件的性能提高有帮助。

石英音叉微细加工若干问题探讨

采用基于半导体工艺的光刻、化学腐蚀等微细加工方法在石英晶体基片上批量制作石英音叉。化学腐蚀石英音叉时,叉指的一个侧面中央有棱角,腐蚀速率先慢后快有利于棱角的消除,但去掉棱角的主要方法是增加腐蚀时间;实验探索了能够耐受长时间腐蚀液浸泡的Cr/Au掩模的制作方法和工艺,成功地腐蚀出石英音叉样品;选用黑白反相的十字套准标记进行石英音叉图形的双面光刻套准可以减小人为对准误差,腐蚀出的双面音叉图形的套准精度可小于3μm。石英晶体结构的三角对称性和Cr/Au掩模的耐腐蚀性是限制微细加工制作石英音叉达到理想形状的关键。

MEMS器件刻蚀工艺优化

基于MEMS器件的特殊结构,介绍了硅基电容式传感器MEMS器件刻蚀工艺的实现,工艺包含厚膜光刻、双面对准套刻和深沟槽刻蚀等难点。通过调整掩蔽层光刻胶的厚度,保持较高线宽分辨率的同时实现了硅片深沟槽的刻蚀加工;采用俄罗斯5026A型双面光刻机实现了硅片的对准套刻,成功实现了电容式传感器器件结构的刻蚀工艺,为用户提供了满意的产品,证明了该刻蚀工艺的可行性和实用性。

KS200A/1200V双向晶闸管

沈阳自动控制研究设计院研制的KS200A/1200V双向晶闸管于1992年12月通过了沈阳市机械工业管理局组织的鉴定。该产品在研制过程中采用了较先进的化学减薄、双面光刻、烧结工艺。同时为了提高触发灵敏度和换向能力独创了双向挖槽工艺和选择电子辐照工艺,这样使产品的参数稳定、一致性好、抗浪涌能力强,换向能力高,可达200V/μs,居国内先进水平。

钨丝微电极阵列的简易制备方法

本文提出了一种简易、低成本的钨丝微电极阵列制作工艺和方法。该方法采用MEMS工艺制作的玻璃模具实现钨丝阵列的精密有序排列,同时,在钨丝电极表面涂覆一层光敏性的聚酰亚胺作为绝缘层,结合"双面光刻"技术和电化学腐蚀技术实现电极位点大小和电极丝几何尺寸的精确控制。最后,通过注模、光刻制作SU-8固定座体完成钨丝微电极阵列的组装固定。整个制作工艺简单快速,且玻璃模具可重复使用,大大降低了制作成本。此外,本文还测试和评价了所制作微电极的表面形貌、电学性能以及生物相容性。

毫米波混合集成电路工艺

总结了毫米波混合集成电路的工艺技术。讨论了影响电路性能的关键工艺因素，优化了工艺条件，确定了最佳的工艺参数，从而研制成功了多种毫米波混合集成电路组件，为整机系统国产化及小批量生产创造了条件。