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具有双面冷却功能的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管
1
《国外电子元器件》
2008年第10期95-95,共1页
Vishay Intertechnology,Inc.推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管SkyFETSiE726DF,该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFETSiE726DF器件采用具有双面冷却功能的Polar...
Vishay Intertechnology,Inc.推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管SkyFETSiE726DF,该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFETSiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK封装,可提升高电流、高频运用的效率。
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关键词
单片功率MOSFET
肖特基二极管
双面冷却功能
高电流
封装
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职称材料
题名
具有双面冷却功能的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管
1
出处
《国外电子元器件》
2008年第10期95-95,共1页
文摘
Vishay Intertechnology,Inc.推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管SkyFETSiE726DF,该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFETSiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK封装,可提升高电流、高频运用的效率。
关键词
单片功率MOSFET
肖特基二极管
双面冷却功能
高电流
封装
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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具有双面冷却功能的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管
《国外电子元器件》
2008
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