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具有双面冷却功能的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管
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《国外电子元器件》 2008年第10期95-95,共1页
Vishay Intertechnology,Inc.推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管SkyFETSiE726DF,该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFETSiE726DF器件采用具有双面冷却功能的Polar... Vishay Intertechnology,Inc.推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管SkyFETSiE726DF,该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFETSiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK封装,可提升高电流、高频运用的效率。 展开更多
关键词 单片功率MOSFET 肖特基二极管 双面冷却功能 高电流 封装
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