双面PERC太阳电池背面效率及双面率优化工艺

基于钝化发射极和背面接触(PERC)太阳电池工艺,对选择性发射极晶体硅双面PERC太阳电池背面效率及双面率优化进行了研究。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,制备了背面为AlOx/SiNx钝化膜层的双面PERC太阳电池。提出了几种不同背面钝化膜层的设计方案,分析了不同设计方案对双面PERC太阳电池背面效率及双面率的影响。测试结果表明,采用背面AlOx/SiNx叠层钝化膜、SiNx双层减反射膜、较大折射率梯度SiN_x膜层、较薄AlOx膜层及较薄SiNx膜层工艺,对提升双面PERC太阳电池背面效率及电池双面率效果显著,用最优设计方案制备的双面PERC太阳电池,其背面效率和双面率分别为14.96%和68.69%。

95%高双面率异质结太阳电池的叠层减反射研究

本文通过PV Lighthouse模拟了硅片厚度(从50μm至200μm)对晶硅异质结(SHJ)太阳电池的光学吸收及光生电流密度的影响,剖析了电池柔性化面临的瓶颈问题,并模拟了不同厚度的TCO/MgF_(2)与TCO/SiO_(2)减反射结构,获得了最佳光生电流密度。通过热蒸发制备了MgF_(2)薄膜,射频磁控溅射制备了SiO_(2)薄膜,经过优化构建了具有高透过率(92.56%)的MgF_(2)/SiO_(2)叠层减反射结构,将器件入光面反射率从6.70%降低至5.46%。在SHJ电池背面应用MgF_(2)/SiO_(2)叠层减反射结构,正面辅以单层SiO_(2)或MgF_(2)减反射薄膜,背面入光时的外部量子效率(EQE)显著提高了2.35%,使短路电流密度提升1.10 mA/cm^(2)以上。该叠层减反射方案实现了95.16%的超高双面率,对提升双玻组件的发电量具有重要意义。

论军用PCBA实施“禁止双面焊”的必要性与可行性

禁、限用工艺是确保军用电子产品PcBA焊接质量的关键；本文在简要介绍禁、限用工艺定义的基础上，强调了军用PCBA实施“禁止双面焊”的必要性，并从理论到实际详尽地叙述了如何在PCBA的焊接中确保金属化孔透锡率，从而确保PCBA“禁止双面焊”的实现。