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双面静电封接工艺在硅电容传感器中的应用
被引量:
3
1
作者
张娜
李颖
+3 位作者
张治国
祝永峰
董春华
殷波
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2012年第1期13-15,共3页
硅电容传感器由于其结构的精密性与灵敏性,常规的静电封接工艺已无法满足要求。封接后会造成其小间隙(间隙通常<10μm)极板间的粘连,导致器件失效。文中结合小间隙传感器的结构特点提出了一种双面同时封接的方法,并对封接相关参数进...
硅电容传感器由于其结构的精密性与灵敏性,常规的静电封接工艺已无法满足要求。封接后会造成其小间隙(间隙通常<10μm)极板间的粘连,导致器件失效。文中结合小间隙传感器的结构特点提出了一种双面同时封接的方法,并对封接相关参数进行了分析,确定了相应的封接条件。该工艺既解决了极板粘连问题又简化了工艺步骤,适合现阶段大规模生产的需求。
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关键词
硅电容传感器
小间隙
双面静电封接
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职称材料
题名
双面静电封接工艺在硅电容传感器中的应用
被引量:
3
1
作者
张娜
李颖
张治国
祝永峰
董春华
殷波
机构
沈阳仪表科学研究院
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2012年第1期13-15,共3页
文摘
硅电容传感器由于其结构的精密性与灵敏性,常规的静电封接工艺已无法满足要求。封接后会造成其小间隙(间隙通常<10μm)极板间的粘连,导致器件失效。文中结合小间隙传感器的结构特点提出了一种双面同时封接的方法,并对封接相关参数进行了分析,确定了相应的封接条件。该工艺既解决了极板粘连问题又简化了工艺步骤,适合现阶段大规模生产的需求。
关键词
硅电容传感器
小间隙
双面静电封接
Keywords
Silicon capacitance sensor
small space
two-side electrostatic sealing
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双面静电封接工艺在硅电容传感器中的应用
张娜
李颖
张治国
祝永峰
董春华
殷波
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2012
3
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职称材料
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