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L波段双频磁绝缘线振荡器的设计与粒子模拟 被引量:16
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作者 陈代兵 孟凡宝 +1 位作者 王冬 范植开 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期429-433,共5页
提出了利用角向分区来产生双频高功率微波的思想,并根据常规磁绝缘线振荡器的互作用主要在轴向而与角向无关的物理机制,通过在常规磁绝缘线振荡器内设置谐振腔深度的角向分区,建立了L波段双频磁绝缘线振荡器的模型,并利用电磁模拟软件,... 提出了利用角向分区来产生双频高功率微波的思想,并根据常规磁绝缘线振荡器的互作用主要在轴向而与角向无关的物理机制,通过在常规磁绝缘线振荡器内设置谐振腔深度的角向分区,建立了L波段双频磁绝缘线振荡器的模型,并利用电磁模拟软件,优化设计了L波段双频磁绝缘线振荡器。粒子模拟的结果为:在电子束电压为530kV,电流为45.5kA的条件下,得到了稳定的双频高功率微波输出,其微波频率分别为1.28GHz和1.50GHz,周期平均功率约为2.65GW,功率效率约为11%,两个频率的频谱幅度相差约0.4dB。 展开更多
关键词 高功率微波 双频磁绝缘线振荡器 粒子模拟 角向分区 L波段
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双频磁绝缘线振荡器的高频特性 被引量:4
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作者 陈代兵 王冬 +1 位作者 孟凡宝 范植开 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1511-1516,共6页
建立了基于谐振腔深度角向分区的L波段双频磁绝缘线振荡器的模型,并采用数值研究的方法,开展了双频磁绝缘线振荡器主慢波结构的色散特性分析,同时还研究了封闭结构和开放结构的双频磁绝缘线振荡器的谐振腔,得到其谐振频率、场分布、Q值... 建立了基于谐振腔深度角向分区的L波段双频磁绝缘线振荡器的模型,并采用数值研究的方法,开展了双频磁绝缘线振荡器主慢波结构的色散特性分析,同时还研究了封闭结构和开放结构的双频磁绝缘线振荡器的谐振腔,得到其谐振频率、场分布、Q值等信息,从高频特性研究的角度来进一步验证了双频磁绝缘线振荡器产生稳定的双频率高功率微波的可行性。研究表明:双频磁绝缘线振荡器的高频结构可以分区工作,每一个分区对应一个谐振频率。 展开更多
关键词 磁绝缘线振荡器 角向分区 双频磁绝缘线振荡器 高功率微波 高频特性
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双频磁绝缘线振荡器微波产生特性的数值研究 被引量:3
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作者 陈代兵 王冬 +1 位作者 范植开 孟凡宝 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期493-498,共6页
利用数值模拟的方法,研究了角向分区比例分别为1∶1,1∶2,1∶3,2∶1和2∶2的双频磁绝缘线振荡器(MILO)的微波产生特性,得到了"热腔"条件下的微波电场分布,电子的相空间图,输出微波的总功率,以及微波频率随角向的分布变化等特... 利用数值模拟的方法,研究了角向分区比例分别为1∶1,1∶2,1∶3,2∶1和2∶2的双频磁绝缘线振荡器(MILO)的微波产生特性,得到了"热腔"条件下的微波电场分布,电子的相空间图,输出微波的总功率,以及微波频率随角向的分布变化等特性。为了比较,还给出了对应于双频MILO的谐振腔深度的两种常规的角向均匀的单频MILO的模拟结果。研究揭示了双频MILO内束-波互作用分区分别工作的规律,提高了对双频MILO产生双频率高功率微波的机理的认识,为双频MILO的双频辐射技术和双频微波测试技术提供了依据。 展开更多
关键词 磁绝缘线振荡器 角向分区 双频磁绝缘线振荡器 高功率微波
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计算器振荡器设计的研究
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作者 陈育人 张从容 +1 位作者 潘伟钢 许玲 《微电子技术》 2001年第2期24-27,共4页
本文较为详细地研究了CS6 0 78计算器中所采用的双频振荡器的电路结构 ,并对其不易于起振的原因进行了分析 ,从而提出了采用单频振荡器设计来取代原芯片的双频振荡器设计的实验方案。通过电路模拟、流片实验 ,业已表明采用单频振荡器设... 本文较为详细地研究了CS6 0 78计算器中所采用的双频振荡器的电路结构 ,并对其不易于起振的原因进行了分析 ,从而提出了采用单频振荡器设计来取代原芯片的双频振荡器设计的实验方案。通过电路模拟、流片实验 ,业已表明采用单频振荡器设计来取代原芯片双频振荡器的设计 ,能有效地解决振荡器不易起振的问题。 展开更多
关键词 计算器 单频振荡器 双频振荡器 电路模拟 CS6078 设计
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Key technologies of frequency-hopping frequency synthesizer for Bluetooth RF front-end
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作者 徐勇 王志功 +3 位作者 李智群 章丽 闵锐 徐光辉 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2005年第3期260-262,共3页
A scheme of a frequency-hopping frequency-synthesizer applied to a Bluetooth ratio frequency (RF) front-end is presented,and design of a voltage controlled oscillator (VCO) and dual-modulus prescaler are focused o... A scheme of a frequency-hopping frequency-synthesizer applied to a Bluetooth ratio frequency (RF) front-end is presented,and design of a voltage controlled oscillator (VCO) and dual-modulus prescaler are focused on.It is fabricated in a 0.18 μm mixed-signal CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor transistor) process.The power dissipation of VCO is low and a stable performance is gained.The measured phase noise of VCO at 2.4 GHz is less than -114.32 dBc/Hz.The structure of the DMP is optimized and a novel D-latch integrated with "OR" logic gate is used.The measured results show that the chip can work well under a 1.8 V power supply.The power dissipation of the core part in a dual modulus prescaler is only 5.76 mW.An RMS jitter of 2 ps is measured on the output signal at 118.3 MHz.It is less than 0.02% of the clock period. 展开更多
关键词 BLUETOOTH frequency hopping frequency synthesizer voltage controlled oscillator (VCO) dualmodulus prescaler programmable divider
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