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基于55 nm CMOS工艺的2.5 Gbit/s高灵敏度跨阻放大器
1
作者
余得水
何进
+4 位作者
陈伟
王豪
常胜
黄启俊
童志强
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期289-294,共6页
基于55nm CMOS工艺,设计了一种工作速率为2.5Gbit/s的高灵敏度跨阻放大器(TIA)。TIA输入级电路采用三级反相器级联结构。为了提高动态范围,采用了双自动控制增益(AGC)电路来调节反馈电阻阻值。输入级电路后级的三级差分放大器进一步放...
基于55nm CMOS工艺,设计了一种工作速率为2.5Gbit/s的高灵敏度跨阻放大器(TIA)。TIA输入级电路采用三级反相器级联结构。为了提高动态范围,采用了双自动控制增益(AGC)电路来调节反馈电阻阻值。输入级电路后级的三级差分放大器进一步放大电压信号,并运用有源电感峰化技术来提高带宽,最后进行缓冲器输出。为了降低跨阻放大器的噪声,设计了基准带隙电路和电压偏置电路,采用温度补偿技术来保证芯片的温度稳定性。电路仿真结果表明,在误码率BER=1×10-12情况下,TIA的后仿真灵敏度为-30.2dBm,跨阻增益为87.5dBΩ,带宽为1.8GHz。在3.3V电压的条件下,功耗为119.4mW。
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关键词
高灵敏度
跨阻放大器
双agc电路
有源
电
感峰化
温度补偿
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职称材料
题名
基于55 nm CMOS工艺的2.5 Gbit/s高灵敏度跨阻放大器
1
作者
余得水
何进
陈伟
王豪
常胜
黄启俊
童志强
机构
武汉大学物理科学与技术学院
武汉飞思灵微电子技术有限公司
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期289-294,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61774113
61574102
+3 种基金
61404094)
中央高校基本科研资助项目(2042014kf0238)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2042017gf0052)
中国博士后科学基金资助项目(2012T50688)
文摘
基于55nm CMOS工艺,设计了一种工作速率为2.5Gbit/s的高灵敏度跨阻放大器(TIA)。TIA输入级电路采用三级反相器级联结构。为了提高动态范围,采用了双自动控制增益(AGC)电路来调节反馈电阻阻值。输入级电路后级的三级差分放大器进一步放大电压信号,并运用有源电感峰化技术来提高带宽,最后进行缓冲器输出。为了降低跨阻放大器的噪声,设计了基准带隙电路和电压偏置电路,采用温度补偿技术来保证芯片的温度稳定性。电路仿真结果表明,在误码率BER=1×10-12情况下,TIA的后仿真灵敏度为-30.2dBm,跨阻增益为87.5dBΩ,带宽为1.8GHz。在3.3V电压的条件下,功耗为119.4mW。
关键词
高灵敏度
跨阻放大器
双agc电路
有源
电
感峰化
温度补偿
Keywords
high sensitivity
transimpedance amplifier
double-
agc
circuit
active inductive peaking
temperature compensation
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于55 nm CMOS工艺的2.5 Gbit/s高灵敏度跨阻放大器
余得水
何进
陈伟
王豪
常胜
黄启俊
童志强
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
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