用激光束成像法测量双E型硅弹性膜应变

用激光束成像法对双E型传感器的硅弹性膜应变进行的研究,测出了该弹性膜的应变情况,此方法对其它结构形式的敏感芯片应变的研究也有一定的参考价值。

双E型硅加速度传感器的研制

本文在简要介绍了 ,利用硅的各向异性腐蚀工艺研制的 ,双 E非整体弹性膜式硅芯片结构的同时 ,又较详细地报告了 ,用此芯片封装成的硅加速度敏感元件及硅加速度传感器结构 。