含双PNP和O-烷基二硫代磷酸配体的双核镍配合物的合成及其电化学性能

合成了4种含亚烷基双(二(二苯基膦基)胺(即双PNP)和O-烷基二硫代磷酸的双核镍配合物((CH_(2))_n(N(PPh_(2))_(2))_(2))Ni(S_(2)P{O}OR)_(2)(1:n=4,R=CH_(3);2:n=4,R=C_(2)H_(5);3:n=3,R=CH_(3);4:n=3,R=C_(2)H_(5)),用红外光谱、核磁共振谱和紫外-可见吸收光谱对配合物的结构进行了表征。用X-射线单晶衍射测定了配合物1的单晶结构,配合物1含有两个畸变平面四边形Ni S_(2)P_(2)。用循环伏安法测定了配合物1~配合物4在乙腈中的电化学性能及其在三氟乙酸(TFA)中的电催化性能,电化学测定表明配合物1~配合物4均具有电催化还原TFA制氢的能力。1 mmol·L^(-1)配合物1~配合物4在添加120 mmol·L^(-1)三氟乙酸的乙腈溶液时的电催化制氢的转换频率(TOF)和过电位(η)分别为(442.5~469.5)s^(-1)和(0.89~0.98)V。

栅控横向PNP双极晶体管电离辐射效应

设计并制作了一种栅控横向PNP双极晶体管测试结构,将其与相同工艺条件下制作的常规横向PNP双极晶体管封装在同一管壳内。在相同条件下对两种器件进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究。结果发现,栅控和常规双极晶体管在基极电流、集电极电流、过剩基极电流和归一化电流增益方面,对电离辐射响应高度一致。对栅控横向PNP双极晶体管辐照感生电荷进行了定量分离,研究国产栅控横向PNP双极晶体管辐照感生缺陷的定量变化就可以客观、科学地反应国产常规横向PNP双极晶体管辐照感生电荷变化。

质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性

对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重;相同等效总剂量条件下,10 MeV质子造成的损伤较3 MeV质子的高;质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。

PNP输入双极运算放大器的辐射效应

对PNP输入双极运算放大器进行了不同偏置条件和不同剂量率下电离辐照实验。结果表明,高剂量率辐照时,正偏置条件下的偏置电流变化稍大于零偏置;低剂量率辐照时,正偏置下的偏置电流变化小于零偏置。两种PNP输入双极运算放大器均表现出明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且在零偏置下的低剂量率辐照损伤增强效应更显著。

国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS

研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律。实验结果表明,在100 rad（Si）/s和0.01 rad（Si）/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad（Si）时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总剂量值不断累积而增大,且并未出现饱和。相同剂量率辐照下,发射结施加反偏状态时国产商用pnp双极晶体管的过剩基极电流变化最大,正偏下最小,零偏介于二者之间。两款晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应（ELDRS）,且在反偏下ELDRS更显著。并对出现这一实验结果的损伤机理进行了探讨。

栅控横向PNP双极晶体管辐照感生电荷的定量分离

设计并制作了一种栅控横向PNP双极晶体管测试结构,在常规横向PNP双极晶体管基区表面氧化层上制作了一栅电极,利用栅扫描法,通过扫描栅极所加电压,获得了基极电流随栅极电压的变化特性.理论推导和数学计算获得了氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷的定量变化,分离出栅控横向PNP双极晶体管在辐照及其室温退火过程中感生的缺陷.对设计的晶体管测试结构和采用的测试方法做了具体介绍.

中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷

设计并制作了一种新型双极测试结构,即在常规横向pnp双极晶体管基区表面氧化层上淀积一栅电极,通过扫描栅极所加电压,获得漏极(集电极)电流随栅极电压的变化特性,利用中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管在辐照过程中感生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷.本文对设计的晶体管测试结构和采用的测试方法做了具体介绍.

一种模拟输出CMOS温度传感器的设计与实现

为了实现片上系统温度监测,设计了一款基于0.18μm CMOS工艺的模拟输出温度传感器,该温度传感器核心部分包括偏置电路和感温电路,辅助部分包括单位增益缓冲器电路和端口静电保护电路。偏置电路采用低压共源共栅电流镜结构,感温电路采用直接堆叠多个PNP管的方式,将外界温度转化为具有负温度系数的线性电压信号。再经过基于轨到轨运算放大器的单位增益缓冲器输出,得到模拟电压输出的温度信号。该温度传感器的结构简单、易于设计,并且具有较大输出电压范围。其中核心部分的面积约为0.056 mm^(2),当电源电压为5 V时,静态电流约为6μA。芯片经过流片,测试结果显示,测量温度范围在-55~120℃时,对应的输出电压为2.6~0.7 V,温度误差在3℃以内。

Impact of TID on response to pulsed X-ray irradiation in the bipolar operational amplifier

Groups of a typical operational amplifier-μA741 were irradiated in a cobalt unit, each group accumulating a different total ionizing dose （TID）. The results showed that the TID caused power consumption current and slew rate （SR） to degenerate in ultra-linearity, owing to a severe reduction in the current gain of the internal LPNP transistors. Pulsed X-ray irradiation experiments were carried out on the μA741 groups with different values, and the results revealed that the impact on the response to the pulsed X-ray irradiation was greater when the devices absorbed more TID. The mechanism for this is explained on the basis of the circuit construction of the μA741; the sensitive parameters of the circuit were obtained via simulation on SP1CE. The simulation results additionally showed that if the sensitive parameters were optimized, the duration of interruption caused by the pulsed X-ray irradiation would be reduced significantly. In addition, several proposals are provided for hardening the devices.