双端口SRAM抗写干扰结构的优化设计

针对双端口静态随机存储器(SRAM)通常存在写干扰而导致数据写入困难的问题,基于经典位线电平复制技术提出了一种新型的位线电平复制结构。基于SMIC 28 nm CMOS工艺对位线电平复制结构进行设计,通过优化控制逻辑的组合电路,缩短位线电平复制操作的开启时间,提高了数据写入SRAM的速度,使设计的SRAM可在更高频率下正常工作,同时降低了动态功耗。仿真结果显示,在0.9 V工作电压下,相对于经典位线电平复制结构,采用新结构设计的SRAM的写入时间缩短了约27.4%,动态功耗降低了约48.1%,抗干扰能力得到显著提升。

基于双MCU与双端口SRAM的高速传感系统设计

随着半导体设备的广泛使用,对传感器测量系统的需求也大大增加,传统的传感器测量系统将MCU(微控制单元)与传感器组合使用,用于实时采集、处理和分析数据,但是受限于存储容量、处理速度、测量精度等无法满足高速实时处理数据的需求。基于此,设计了一种基于双端口SRAM的高速传感系统,使用双MCU结合双端口SRAM结构实现更高的数据吞吐量和更快的处理速度。测试表明,在相同主频和相似程序工作流程下,双MCU传感系统比单MCU传感器测量系统的工作时间更快,且双MCU系统完成相同工作所需的时间随着芯片的主频的降低,差距成倍增加。研究结果为采用低主频芯片实现高实时性响应系统提供了思路。

一种面向无人机的图像去噪系统设计

图像去噪是无人机进行对地观测任务能够得到清晰图像的关键步骤,在当前社会多媒体技术的发展中占有极其重要的地位。文中图像采集模块使用CCD摄像头来采集视频图像[1],采集到的视频图像通过视频解码芯片和缓存模块后,再利用图像去噪模块对图像信号进行相应的去噪处理,图像去噪模块采用一种多级提升小波变换和贝叶斯阈值去噪相结合的图像去噪算法进行去噪处理,去噪后的图像通过双SRAM存储器进行缓冲,最后利用nRF2401无线收发芯片进行发送。文中设计方案能更好地提升图像的质量,效率高,成本低,且受外界环境干扰小。