期刊文献+
共找到112篇文章
< 1 2 6 >
每页显示 20 50 100
动态高温反偏应力下的SiC MOSFET测试平台及其退化机理研究 被引量:1
1
作者 左璐巍 辛振 +3 位作者 蒙慧 周泽 余彬 罗皓泽 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期211-219,共9页
为研究SiC MOSFET在动态漏源应力下的退化机理,开发了一种具有dVds/dt可调功能、最高可达80 V/ns的动态反向偏置测试平台。针对商用SiC MOSFET进行动态高温反偏实验,讨论高电压变化率的动态漏源应力对SiC MOSFET电学特性的影响。实验结... 为研究SiC MOSFET在动态漏源应力下的退化机理,开发了一种具有dVds/dt可调功能、最高可达80 V/ns的动态反向偏置测试平台。针对商用SiC MOSFET进行动态高温反偏实验,讨论高电压变化率的动态漏源应力对SiC MOSFET电学特性的影响。实验结果显示,器件的阈值电压和体二极管正向导通电压增加,说明器件JFET区上方的栅氧层和体二极管可能发生了退化。通过Sentaurus TCAD分析了在高漏源电压及高电压变化率下平面栅型SiC MOSFET的薄弱位置,在栅氧层交界处和体二极管区域设置了空穴陷阱,模拟动态高温反偏对SiC MOSFET动静态参数的影响。 展开更多
关键词 动态高温反偏测试 退化机理 SiC MOSFET 可调dV_(ds)/dt
下载PDF
提高功率开关晶体管高温反偏能力的研究
2
作者 林洁馨 杨发顺 +1 位作者 马奎 龚红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期133-136,共4页
影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污。从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理。为了改善高温反偏条件下功率晶体管的性能,结合实验室现有的条件,从SiO2的生长工... 影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污。从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理。为了改善高温反偏条件下功率晶体管的性能,结合实验室现有的条件,从SiO2的生长工艺和芯片表面钝化技术这两个方面出发,找到了有效的工艺路线。采用C2HCl3掺Cl氧化工艺和聚酰亚胺表面钝化工艺,有效地减轻和消除了芯片制造过程中的表面沾污,提高了产品的质量和在高温环境下的可靠性。 展开更多
关键词 高温反偏 掺氯氧化 聚酰亚胺 表面钝化技术
下载PDF
从反偏斜力看FB型防斜保直器的防斜效果
3
作者 江进国 佟建国 《探矿工程》 1991年第1期33-35,共3页
本文从反偏斜力的角度探讨了FB型防斜保直器的防斜原理,给出了常规钻进和使用FB型斜保直器的防斜钻进方法的反偏斜力计算公式,讨论了两种方法的反偏斜力与钻孔深度和地层造斜强度之间的关系.通过分析得知:常规钻进的反偏斜力随孔深增加... 本文从反偏斜力的角度探讨了FB型防斜保直器的防斜原理,给出了常规钻进和使用FB型斜保直器的防斜钻进方法的反偏斜力计算公式,讨论了两种方法的反偏斜力与钻孔深度和地层造斜强度之间的关系.通过分析得知:常规钻进的反偏斜力随孔深增加成三次方规律降低,FB型防斜钻进的反偏斜力则不受孔深的影响并几保持有较大值,从而使该方法的防斜效果人为提高. 展开更多
关键词 钻孔 防斜 保直器 反偏斜力 FB型
下载PDF
反偏籽晶晶向生长Φ2″HB-GaAs单晶
4
作者 王继荣 武壮文 +1 位作者 于洪国 张海涛 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期458-461,共4页
HB-GaAs ( 10 0 )片要偏离生长截面 5 4.7°~ 60°切割 (〈10 0〉和〈111〉之间的夹角是 5 4.7°)。如果籽晶方向与〈10 0〉之间的夹角少于 5 4.7°,称为反偏籽晶。而采用大于 5 4.7°角生长的单晶切割比较困难 ,... HB-GaAs ( 10 0 )片要偏离生长截面 5 4.7°~ 60°切割 (〈10 0〉和〈111〉之间的夹角是 5 4.7°)。如果籽晶方向与〈10 0〉之间的夹角少于 5 4.7°,称为反偏籽晶。而采用大于 5 4.7°角生长的单晶切割比较困难 ,尤其是厚度小于 3 0 0 μm的晶片。为了减少切割难度 ,可生长反偏籽晶的单晶 ,但要保证单晶能割出Φ2″( 10 0 )圆片 ,必须增加单晶锭的截面积。由于GaAs的热导率小 ,大截面单晶生长要困难得多。通过改变固液截面附近的加热元件结构 ,在特定方向加强了散热 ,延伸了温度梯度的线性范围 ,使用反偏籽晶 ,成功地生长了Φ2″HB GaAs单晶。和正偏籽晶单晶相比 ,这些单晶锭的切割破损率减少了 2 4% ,每 10 0mm长度出片数增加了 3 0 %。 展开更多
关键词 反偏籽晶 热导率 HB-GaAs单晶生长
下载PDF
高压大功率器件用6 kV/180℃高温反偏测试装置研制 被引量:4
5
作者 邓二平 孟鹤立 +2 位作者 王延浩 赵志斌 黄永章 《中国电力》 CSCD 北大核心 2021年第2期133-139,共7页
高温反偏测试(high temperature reverse bias,HTRB)作为功率器件可靠性测试的重要环节,其测试装置的精度和功能决定了对被测器件老化程度判定的准确性。针对高压大功率器件对测试装置空间、精度以及可靠性的需求,自主研制出了电压等级6... 高温反偏测试(high temperature reverse bias,HTRB)作为功率器件可靠性测试的重要环节,其测试装置的精度和功能决定了对被测器件老化程度判定的准确性。针对高压大功率器件对测试装置空间、精度以及可靠性的需求,自主研制出了电压等级6 kV、环境温度180℃的高温反偏测试装置。此外,该测试装置还集成了温度-漏电流关系曲线自动测量及失效期数据高频采集等功能,更为准确灵活地监测被测器件的状态,进行可靠性评估与失效分析。为验证该测试装置的各项功能及可靠性,使用该装置对商业IGBT器件进行了测试,初步测试结果表明:温度与漏电流呈指数关系,集射极漏电流随着老化的进行逐渐增大。该装置符合高压大功率半导体器件对高温反偏测试的需求且适用于不同封装的IGBT器件。 展开更多
关键词 高压大功率IGBT器件 高温反偏测试 加速老化试验 终端 漏电流
下载PDF
功率器件高温高湿高压反偏测试研究综述 被引量:3
6
作者 王延浩 邓二平 黄永章 《中国电力》 CSCD 北大核心 2020年第12期18-29,共12页
户外工况下,功率器件寿命受高湿环境中的水汽侵蚀缩短。用于考核湿度可靠性的传统高温高湿反偏测试最大值80V偏压已不能满足高压大功率器件加速老化测试需求,高温高湿高压反偏测试(highvoltage high humidity high temperature reverse ... 户外工况下,功率器件寿命受高湿环境中的水汽侵蚀缩短。用于考核湿度可靠性的传统高温高湿反偏测试最大值80V偏压已不能满足高压大功率器件加速老化测试需求,高温高湿高压反偏测试(highvoltage high humidity high temperature reverse bias test,HV-H3TRB)近年来得以开展。然而,相关研究进展慢、存在的关键问题不明等使得研究发展方向不甚明朗。首先从基本原理出发,详细论述水汽侵入功率器件、腐蚀芯片表面的机理。进一步地,针对研究对象与方法、器件失效分析、电气量老化特征等3个方面对已有研究现状进行论述与总结。最后,根据老化前后器件结构变化,总结芯片层终端、钝化层、封装材料的抗湿优化设计,并指出相关研究后续发展方向。 展开更多
关键词 功率器件 高温高湿高压反偏测试 失效分析 钝化层 封装材料
下载PDF
反偏二极管的计算机辅助设计
7
作者 萧敬勋 杨庆新 孙以材 《河北工学院学报》 1995年第3期1-6,共6页
利用有限元法解泊松方程,可以得到反偏二极管中的二维电位分布和最大电场强度.模拟结果指出:正斜角二极管中的电场强度小于负斜角二极管中的电场强度,前者的最大电场强度处于反偏二极管的中心,而后者的最大电场强度则处于表面.因... 利用有限元法解泊松方程,可以得到反偏二极管中的二维电位分布和最大电场强度.模拟结果指出:正斜角二极管中的电场强度小于负斜角二极管中的电场强度,前者的最大电场强度处于反偏二极管的中心,而后者的最大电场强度则处于表面.因此,正斜角二极管可以达到高的反向击穿电压. 展开更多
关键词 反偏二极管 电位分布 有限元法 CAD
下载PDF
传声器管的高温反偏试验 被引量:2
8
作者 张鸿升 《微电子技术》 2000年第6期51-54,共4页
近年来,驻极体传声器发展很快,对于传声器管的电参数要求更高,尤其高温反偏试验更为严苛。多年来,对此项试验发现与以前有关资料中的结果存在某些差异,给予补充说明。
关键词 驻极体 传声器 高温反偏试验
下载PDF
VDMOS高温反偏漏电流稳定性技术攻关
9
作者 陈骞 丁文华 +2 位作者 习毓 刘琦 单长玲 《科学技术创新》 2018年第25期185-186,共2页
VDMOS产品在高温反偏试验过程中,经常出现耐压和漏电流失效或不稳定的现象。对Si-Si O2系统中四种基本形式的电荷或能态以及高温反偏主要失效机理进行了分析,同时针对200V塑封VDMOS器件高温漏偏试验过程中漏源漏电IDSS增大且不稳定的现... VDMOS产品在高温反偏试验过程中,经常出现耐压和漏电流失效或不稳定的现象。对Si-Si O2系统中四种基本形式的电荷或能态以及高温反偏主要失效机理进行了分析,同时针对200V塑封VDMOS器件高温漏偏试验过程中漏源漏电IDSS增大且不稳定的现象,通过器件终端结构设计的改进,解决了此问题。终端改进后的产品在150℃、1000小时的高温漏偏试验过程中未发生漏源漏电IDSS增大的问题,试验后常温测试产品漏源漏电IDSS在90n A左右。 展开更多
关键词 高温反偏 漏源漏电 终端结构 截止环
下载PDF
提高晶闸管高温反偏性能的研究
10
作者 王启进 潘英飞 《科技视界》 2016年第26期7-7,52,共2页
分析了晶闸管高温反偏的失效模式;影响晶闸管高温反偏性能的主要原因是表面沾污;改变Si O2的生长工艺,从而提高产品的质量和在高温环境下的可靠性。
关键词 高温反偏 表面沾污 质量 可靠性
下载PDF
简易高温反偏老化台原理与结构
11
作者 兰怀迎 陈守迎 《山东半导体技术》 1993年第1期6-8,共3页
关键词 半导体器件 反偏老化台 理论 结构
下载PDF
固体继电器高温反偏失效分析
12
作者 郭建章 任强 +2 位作者 刘理想 韦跃武 张超群 《机电元件》 2019年第6期56-59,共4页
一种四路常开输出直流固体继电器是我单位研发的新品,其特点为输入电压28Vd.c.、输出电流7A、变压器隔离、50A脉冲过载能力、输出接通电阻低。在试验中该固体继电器出现了高温反偏失效的现象,对此现象进行了分析、研究,提出了改进方案,... 一种四路常开输出直流固体继电器是我单位研发的新品,其特点为输入电压28Vd.c.、输出电流7A、变压器隔离、50A脉冲过载能力、输出接通电阻低。在试验中该固体继电器出现了高温反偏失效的现象,对此现象进行了分析、研究,提出了改进方案,并进行了闭环验证。 展开更多
关键词 固体继电器 变压器隔离 输入28V 高温反偏
下载PDF
一种增大达林顿晶体管反偏安全工作区的新技术
13
作者 邹盛琳 《永光半导体》 1994年第9期52-54,共3页
关键词 达林顿晶体管 反偏安全工作区 晶体管
全文增补中
发光二极管的反偏电容和电导特性研究 被引量:2
14
作者 程星福 刘显明 +2 位作者 陈伟民 赖伟 雷小华 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期648-652,共5页
发光二极管(LED)在反向偏压工作状态下的电学特性在一定程度上反映PN结中载流子的传输特性。本文对反偏状态下LED的电容电导特性进行了研究,通过在直流偏置上叠加交流小信号,得到了LED反偏电容和电导随频率变化的关系。实验结果表明,随... 发光二极管(LED)在反向偏压工作状态下的电学特性在一定程度上反映PN结中载流子的传输特性。本文对反偏状态下LED的电容电导特性进行了研究,通过在直流偏置上叠加交流小信号,得到了LED反偏电容和电导随频率变化的关系。实验结果表明,随着频率的增加,LED反偏电容减小,反偏电导增加。不同I-V特性的LED具有明显不同的反偏电容电导特性。分析认为,PN结的隧穿电流和表面漏电流是引起以上现象的主因;反偏电容和电导特性可作为对LED评价的重要参数指标,实现产品质量筛选。 展开更多
关键词 发光二极管(I ED) 反偏电容 反偏电导 隧穿电流
原文传递
零偏退火与反偏退火对含氢的Au/n-Si肖特基势垒的控制
15
作者 元民华 乔永平 +2 位作者 宋海智 金泗轩 秦国刚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期1017-1023,共7页
〈111〉晶向的掺磷的n型硅外延片经等离子进氢后连同未经等离子氢处理的对比片一起淀积金,制得Au/n-Si肖特基势垒。实验结果表明:氢能使Au/n-Si的肖特基势垒高度下降0.13eV;含氢的肖特基势垒的高度可以被零... 〈111〉晶向的掺磷的n型硅外延片经等离子进氢后连同未经等离子氢处理的对比片一起淀积金,制得Au/n-Si肖特基势垒。实验结果表明:氢能使Au/n-Si的肖特基势垒高度下降0.13eV;含氢的肖特基势垒的高度可以被零偏退火与反偏退火所控制,即零偏退火使含氢的肖特基势垒的高度降低,而反偏退火使含氢的肖特基势垒的高度升高;而且零偏退火与反偏退火对肖特基势垒高的这种控制作用至少在三个循环过程中是可逆的。在反偏退火以后,含氢的肖特基势垒的高度升高的数值不仅与退火时所应用的偏置电压有关,而且与退火温度也有关。 展开更多
关键词 肖特基势垒 退火 反偏退火
原文传递
时空混沌系统中有偏反相同步研究 被引量:1
16
作者 刘剑波 叶春飞 张树京 《铁道学报》 EI CSCD 北大核心 2000年第2期39-41,共3页
分析了基于耦合映象格子时空混沌系统的同步问题 ,首次发现了耦合映象格子中存在的有偏反相同步现象 ,并利用单向耦合单峰格子进行了讨论。研究结果表明 ,在系统参数满足一定条件下 ,耦合映象格子在实现同相同步的同时 ,还可实现有偏反... 分析了基于耦合映象格子时空混沌系统的同步问题 ,首次发现了耦合映象格子中存在的有偏反相同步现象 ,并利用单向耦合单峰格子进行了讨论。研究结果表明 ,在系统参数满足一定条件下 ,耦合映象格子在实现同相同步的同时 ,还可实现有偏反相同步。这一结论可应用于混沌键控系统 。 展开更多
关键词 时空混沌 耦合映象格子 相同法 通信系统
下载PDF
大脑半球卒中眼球反病灶侧偏视的临床研究 被引量:2
17
作者 许楚芸 何文贞 巫顺秀 《神经疾病与精神卫生》 2002年第3期154-155,共2页
目的 探讨大脑半球卒中眼球反病灶侧偏视这一体征发生的病理机制及临床意义。方法 连续观察了100例伴有眼球同向偏视的急性幕上脑卒中病例,对其中表现为反病灶侧偏视的6例临床资料进行报道分析。结果 6例均经头颅CT扫描确诊为一侧半球... 目的 探讨大脑半球卒中眼球反病灶侧偏视这一体征发生的病理机制及临床意义。方法 连续观察了100例伴有眼球同向偏视的急性幕上脑卒中病例,对其中表现为反病灶侧偏视的6例临床资料进行报道分析。结果 6例均经头颅CT扫描确诊为一侧半球大面积出血或梗死。入院时均有眼球向病灶侧同向偏视的体征。当病情加重,出现脑干功能受累诸征象时,偏视指向病灶半球对侧。4例死于枕大孔疝,1例病情恶化自动出院,1例好转出院。结论 本组病例病情恶化是由于继发中央性脑疝形成。眼球反病灶侧偏视是其相关体征。脑干功能受累是产生该眼征的病理基础。 展开更多
关键词 大脑半球 脑卒中 病灶侧
下载PDF
利用电磁左手材料调控电磁波的偏振反转 被引量:1
18
作者 查扬 汪人甫 俞熹 《大学物理》 北大核心 2009年第6期43-46,共4页
通过各向异性的电磁介质板的反射,电磁波的偏振状态可以被任意地调节,在特定的条件下甚至可以完全反转.本文在微波测量系统的基础上设计了一个测量偏振反转的实验,在特定的频率观测到了偏振反转的极大值.另外还提出了一个提高偏振反转... 通过各向异性的电磁介质板的反射,电磁波的偏振状态可以被任意地调节,在特定的条件下甚至可以完全反转.本文在微波测量系统的基础上设计了一个测量偏振反转的实验,在特定的频率观测到了偏振反转的极大值.另外还提出了一个提高偏振反转率的方案并通过实验验证了其有效性.通过转移矩阵方法计算得到了偏振反转的理论结果并与实验结果进行了对比. 展开更多
关键词 电磁左手材料 各向异性
下载PDF
扩折反拔尺偏手法整复小夹板固定治疗尺桡骨干骨折的疗效分析 被引量:1
19
作者 甘小明 《当代医学》 2014年第29期10-11,共2页
目的探讨扩折反拔尺偏手法整复小夹板固定治疗尺桡骨干骨折的疗效,以供参考。方法将邵东县中医医院2011年6月~2013年5月收治的尺桡骨干骨折患者87例纳入本研究,根据就诊顺序奇偶数法分组,奇数者归为A组(n=43),偶数者归为B组(n=44)... 目的探讨扩折反拔尺偏手法整复小夹板固定治疗尺桡骨干骨折的疗效,以供参考。方法将邵东县中医医院2011年6月~2013年5月收治的尺桡骨干骨折患者87例纳入本研究,根据就诊顺序奇偶数法分组,奇数者归为A组(n=43),偶数者归为B组(n=44)。A组采用克氏针固定治疗,B组采用扩折反拔尺偏手法整复小夹板固定治疗。对比2组在骨折愈合效果等方面的差异性。结果与A组对比,我们发现B组骨折愈合时间较短,治疗后随访3个月,总有效率较高,组间差异经统计学分析后认为有意义(P〈0.05)。结论扩折反拔尺偏手法整复小夹板固定治疗尺桡骨干骨折具有操作简便、愈合效果好等优越性,今后可将其作为尺桡骨骨折治疗的有效方案进行推广应用。 展开更多
关键词 扩折拔尺手法 小夹板固定 尺桡骨干骨折
下载PDF
IGCT过应力关断下动态雪崩诱发的电压自箝位效应
20
作者 董曼玲 姚德贵 +4 位作者 宋伟 张嘉涛 肖超 鲁一苇 杨武华 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期879-884,共6页
作为高压功率器件,集成门极换流晶闸管(IGCT)关断过程中必然发生的动态雪崩效应是限制器件反偏安全工作区(RBSOA)的重要因素。通过建立能更好地反映电流集中效应的多单元仿真结构模型,对IGCT过应力条件下的关断特性进行了仿真,发现了一... 作为高压功率器件,集成门极换流晶闸管(IGCT)关断过程中必然发生的动态雪崩效应是限制器件反偏安全工作区(RBSOA)的重要因素。通过建立能更好地反映电流集中效应的多单元仿真结构模型,对IGCT过应力条件下的关断特性进行了仿真,发现了一种与开关自箝位模式(SSCM)非常相似的电压自箝位效应。然而,与SSCM不同的是,这种自箝位效应是由动态雪崩效应诱发的。在强烈的动态雪崩下,雪崩产生的载流子与被移除的载流子达到了动态平衡,耗尽区电场无法展宽导致了电压箝位。由于自箝位期间雪崩产生的电流丝无法快速移动,器件极易因局部过热而损毁。并且,随着器件电流增益的增大,这种效应更容易发生。研究结果可为IGCT提供更清晰的RBSOA。 展开更多
关键词 集成门极换流晶闸管(IGCT) 反偏安全工作区(RBSOA) 过应力关断 动态雪崩 电流丝 自箝位
下载PDF
上一页 1 2 6 下一页 到第
使用帮助 返回顶部