期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
6
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
一种增大达林顿晶体管反偏安全工作区的新技术
1
作者
邹盛琳
《永光半导体》
1994年第9期52-54,共3页
关键词
达林顿晶体管
反偏安全工作区
晶体管
全文增补中
高压IGBT宽安全工作区设计
被引量:
1
2
作者
高明超
金锐
+4 位作者
王耀华
刘江
李立
李翠
吴军民
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2020年第6期451-454,共4页
基于现有工艺平台开发了一款具有宽安全工作区的高压IGBT芯片。该芯片元胞采用场截止结构、载流子增强技术结合背面激光退火工艺降低器件饱和电压,通过优化载流子存储层的掺杂分布,结合背面透明集电极的增益优化,降低器件雪崩风险,提高...
基于现有工艺平台开发了一款具有宽安全工作区的高压IGBT芯片。该芯片元胞采用场截止结构、载流子增强技术结合背面激光退火工艺降低器件饱和电压,通过优化载流子存储层的掺杂分布,结合背面透明集电极的增益优化,降低器件雪崩风险,提高器件的安全工作区。经流片测试结果显示饱和电压2.6 V,芯片在125°C温度下可实现5倍以上额定电流安全关断,短路电流可在30μs内安全关断,具有宽安全工作区水平,实现饱和电压、关断损耗和安全工作区的折衷。
展开更多
关键词
绝缘栅双极晶体管
饱和电压
关断损耗
反偏安全工作区
短路
安全
工作区
下载PDF
职称材料
具有宽安全工作区的压接式IGBT芯片研制
被引量:
1
3
作者
王耀华
高明超
+5 位作者
刘江
冷国庆
赵哿
金锐
温家良
潘艳
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期132-135,共4页
针对柔性直流输电关键装备高压直流断路器的特殊需求,基于现有工艺平台开发了一款宽安全工作区的3 300V/50A压接式IGBT芯片。为降低2~4 ms过电流冲击过程中的芯片温升,纵向采用非穿通结构。同时,采用阶梯栅氧结构,引入第二雪崩区,降低...
针对柔性直流输电关键装备高压直流断路器的特殊需求,基于现有工艺平台开发了一款宽安全工作区的3 300V/50A压接式IGBT芯片。为降低2~4 ms过电流冲击过程中的芯片温升,纵向采用非穿通结构。同时,采用阶梯栅氧结构,引入第二雪崩区,降低动态闩锁发生的风险,提高器件的安全工作区。为适用于压接封装,开发了厚金属电极工艺,实现对压力的缓冲。将此结构流片验证,并进行模块级测试,芯片可在1 800V电压下达到6.5倍以上额定电流安全关断,短路电流可在20μs内安全关断,具有宽安全工作区水平。
展开更多
关键词
绝缘栅双极晶体管
压接
反偏安全工作区
短路
安全
工作区
下载PDF
职称材料
有源电压箝位串联HV IGBT的适用性和优化(二)
4
作者
F.Bauer
黄慧(译) 柯思勤(校)
《变流技术与电力牵引》
2007年第2期30-33,51,共5页
介绍了5.2kV高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBTs)的成功串联应用。穿通型HVIGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾电流的关断问题。可以证明,采用先进的电压箝位技术能够限制因关断拖尾电流而引起的第二个电压尖峰。阳极采...
介绍了5.2kV高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBTs)的成功串联应用。穿通型HVIGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾电流的关断问题。可以证明,采用先进的电压箝位技术能够限制因关断拖尾电流而引起的第二个电压尖峰。阳极采用载流子寿命局部分布的IGBT很适合这种应用;拖尾电流间隔时间越短,关断损耗越小。文中集中讨论了穿通型HVIGBT器件串联时的最佳通态等离子体分布,HVIGBT的最新发展趋势似乎与讨论结论相一致。未来先进的HVIGBT技术可完全减轻第一代HVIGBT串联时的困难。
展开更多
关键词
高压绝缘栅双极型晶体管(HV
IGBTs)
非穿通(NPT)
穿通(PT)
反偏安全工作区
(RBSOA)
下载PDF
职称材料
有源电压箝位串联HV IGBT的适用性和优化(一)
5
作者
F.Bauer
黄慧(译者) 柯思勤(校者)
《变流技术与电力牵引》
2007年第1期28-32,51,共6页
介绍了5.2kV高压绝缘栅双极型晶体管(HV IGBTs)的成功串联应用。穿通型HV IGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾电流的关断问题。可以证明,采用先进的电压箝位技术能够限制因关断拖尾电流而引起的第二个电压尖峰。阳极...
介绍了5.2kV高压绝缘栅双极型晶体管(HV IGBTs)的成功串联应用。穿通型HV IGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾电流的关断问题。可以证明,采用先进的电压箝位技术能够限制因关断拖尾电流而引起的第二个电压尖峰。阳极采用载流子寿命局部分布的IGBT很适合这种应用;拖尾电流间隔时间越短,关断损耗越小。文中集中讨论了穿通型HV IGBT器件串联时的最佳通态等离子体分布,HV IGBT的最新发展趋势似乎与讨论结论相一致。未来先进的HV IGBT技术可完全减轻第一代HV IGBT串联时的困难。
展开更多
关键词
高压绝缘栅双极型晶体管(HV
IGBTs)
非穿通(NPT)
穿通(PT)
反偏安全工作区
(RBSOA)
下载PDF
职称材料
解析IGBT管特点、工作原理与保护电路(二)
6
作者
宁利
《家电检修技术》
2011年第7期53-54,共2页
②长时间过流运行。IGBT管长时间过流运行是指IGBT管的运行指标达到或超出RBSOA(反偏安全工作区)所限定的电流安全边界(如选型失误、安全系数偏小等)。出现这种情况时,电路必须能在电流到达RBSOA限定边界前立即关断器件,才能达到...
②长时间过流运行。IGBT管长时间过流运行是指IGBT管的运行指标达到或超出RBSOA(反偏安全工作区)所限定的电流安全边界(如选型失误、安全系数偏小等)。出现这种情况时,电路必须能在电流到达RBSOA限定边界前立即关断器件,才能达到保护器件的目的。
展开更多
关键词
IGBT管
保护电路
工作
原理
反偏安全工作区
RBSOA
解析
运行指标
安全
边界
原文传递
题名
一种增大达林顿晶体管反偏安全工作区的新技术
1
作者
邹盛琳
出处
《永光半导体》
1994年第9期52-54,共3页
关键词
达林顿晶体管
反偏安全工作区
晶体管
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
全文增补中
题名
高压IGBT宽安全工作区设计
被引量:
1
2
作者
高明超
金锐
王耀华
刘江
李立
李翠
吴军民
机构
全球能源互联网研究院有限公司
先进输电技术国家重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2020年第6期451-454,共4页
基金
国家电网有限公司总部科技项目(52060018009M)。
文摘
基于现有工艺平台开发了一款具有宽安全工作区的高压IGBT芯片。该芯片元胞采用场截止结构、载流子增强技术结合背面激光退火工艺降低器件饱和电压,通过优化载流子存储层的掺杂分布,结合背面透明集电极的增益优化,降低器件雪崩风险,提高器件的安全工作区。经流片测试结果显示饱和电压2.6 V,芯片在125°C温度下可实现5倍以上额定电流安全关断,短路电流可在30μs内安全关断,具有宽安全工作区水平,实现饱和电压、关断损耗和安全工作区的折衷。
关键词
绝缘栅双极晶体管
饱和电压
关断损耗
反偏安全工作区
短路
安全
工作区
Keywords
IGBT
saturation voltage
turn-off loss
reverse biased safe operating area(RBSOA)
short-circuit safe operating area(SCSOA)
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
具有宽安全工作区的压接式IGBT芯片研制
被引量:
1
3
作者
王耀华
高明超
刘江
冷国庆
赵哿
金锐
温家良
潘艳
机构
全球能源互联网研究院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期132-135,共4页
基金
国家能源应用技术研究及工程示范项目(NY20150703)
国家电网公司科技项目(SGRI-GB-71-16-004)
文摘
针对柔性直流输电关键装备高压直流断路器的特殊需求,基于现有工艺平台开发了一款宽安全工作区的3 300V/50A压接式IGBT芯片。为降低2~4 ms过电流冲击过程中的芯片温升,纵向采用非穿通结构。同时,采用阶梯栅氧结构,引入第二雪崩区,降低动态闩锁发生的风险,提高器件的安全工作区。为适用于压接封装,开发了厚金属电极工艺,实现对压力的缓冲。将此结构流片验证,并进行模块级测试,芯片可在1 800V电压下达到6.5倍以上额定电流安全关断,短路电流可在20μs内安全关断,具有宽安全工作区水平。
关键词
绝缘栅双极晶体管
压接
反偏安全工作区
短路
安全
工作区
Keywords
insulated gate bipolar transistor (IGBT)
press-pack
reverse biased safe operatingarea(RBSOA)
short circuit safe operating area(SCSOA)
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
有源电压箝位串联HV IGBT的适用性和优化(二)
4
作者
F.Bauer
黄慧(译) 柯思勤(校)
出处
《变流技术与电力牵引》
2007年第2期30-33,51,共5页
文摘
介绍了5.2kV高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBTs)的成功串联应用。穿通型HVIGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾电流的关断问题。可以证明,采用先进的电压箝位技术能够限制因关断拖尾电流而引起的第二个电压尖峰。阳极采用载流子寿命局部分布的IGBT很适合这种应用;拖尾电流间隔时间越短,关断损耗越小。文中集中讨论了穿通型HVIGBT器件串联时的最佳通态等离子体分布,HVIGBT的最新发展趋势似乎与讨论结论相一致。未来先进的HVIGBT技术可完全减轻第一代HVIGBT串联时的困难。
关键词
高压绝缘栅双极型晶体管(HV
IGBTs)
非穿通(NPT)
穿通(PT)
反偏安全工作区
(RBSOA)
Keywords
High-voltage integrated gate bipolar transistor (HVIGBTs)
nonpunchthrough(NPT)
punchthrough (PT)
reverse biased safe operating area (RBSOA)
分类号
TN389 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
有源电压箝位串联HV IGBT的适用性和优化(一)
5
作者
F.Bauer
黄慧(译者) 柯思勤(校者)
出处
《变流技术与电力牵引》
2007年第1期28-32,51,共6页
文摘
介绍了5.2kV高压绝缘栅双极型晶体管(HV IGBTs)的成功串联应用。穿通型HV IGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾电流的关断问题。可以证明,采用先进的电压箝位技术能够限制因关断拖尾电流而引起的第二个电压尖峰。阳极采用载流子寿命局部分布的IGBT很适合这种应用;拖尾电流间隔时间越短,关断损耗越小。文中集中讨论了穿通型HV IGBT器件串联时的最佳通态等离子体分布,HV IGBT的最新发展趋势似乎与讨论结论相一致。未来先进的HV IGBT技术可完全减轻第一代HV IGBT串联时的困难。
关键词
高压绝缘栅双极型晶体管(HV
IGBTs)
非穿通(NPT)
穿通(PT)
反偏安全工作区
(RBSOA)
Keywords
High-voltage integrated gate bipolar transistor (HV IGBTs)
nonpunchthrough(NFT)
punchthrough (PT)
reverse biased safe operating area (RBSOA)
分类号
TN389 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
解析IGBT管特点、工作原理与保护电路(二)
6
作者
宁利
出处
《家电检修技术》
2011年第7期53-54,共2页
文摘
②长时间过流运行。IGBT管长时间过流运行是指IGBT管的运行指标达到或超出RBSOA(反偏安全工作区)所限定的电流安全边界(如选型失误、安全系数偏小等)。出现这种情况时,电路必须能在电流到达RBSOA限定边界前立即关断器件,才能达到保护器件的目的。
关键词
IGBT管
保护电路
工作
原理
反偏安全工作区
RBSOA
解析
运行指标
安全
边界
分类号
TN949.12 [电子电信—信号与信息处理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种增大达林顿晶体管反偏安全工作区的新技术
邹盛琳
《永光半导体》
1994
0
全文增补中
2
高压IGBT宽安全工作区设计
高明超
金锐
王耀华
刘江
李立
李翠
吴军民
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2020
1
下载PDF
职称材料
3
具有宽安全工作区的压接式IGBT芯片研制
王耀华
高明超
刘江
冷国庆
赵哿
金锐
温家良
潘艳
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
下载PDF
职称材料
4
有源电压箝位串联HV IGBT的适用性和优化(二)
F.Bauer
黄慧(译) 柯思勤(校)
《变流技术与电力牵引》
2007
0
下载PDF
职称材料
5
有源电压箝位串联HV IGBT的适用性和优化(一)
F.Bauer
黄慧(译者) 柯思勤(校者)
《变流技术与电力牵引》
2007
0
下载PDF
职称材料
6
解析IGBT管特点、工作原理与保护电路(二)
宁利
《家电检修技术》
2011
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部