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发光二极管的反偏电容和电导特性研究
被引量:
2
1
作者
程星福
刘显明
+2 位作者
陈伟民
赖伟
雷小华
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期648-652,共5页
发光二极管(LED)在反向偏压工作状态下的电学特性在一定程度上反映PN结中载流子的传输特性。本文对反偏状态下LED的电容电导特性进行了研究,通过在直流偏置上叠加交流小信号,得到了LED反偏电容和电导随频率变化的关系。实验结果表明,随...
发光二极管(LED)在反向偏压工作状态下的电学特性在一定程度上反映PN结中载流子的传输特性。本文对反偏状态下LED的电容电导特性进行了研究,通过在直流偏置上叠加交流小信号,得到了LED反偏电容和电导随频率变化的关系。实验结果表明,随着频率的增加,LED反偏电容减小,反偏电导增加。不同I-V特性的LED具有明显不同的反偏电容电导特性。分析认为,PN结的隧穿电流和表面漏电流是引起以上现象的主因;反偏电容和电导特性可作为对LED评价的重要参数指标,实现产品质量筛选。
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关键词
发光二极管(I
ED)
反偏电容
反
偏
电导
隧穿电流
原文传递
题名
发光二极管的反偏电容和电导特性研究
被引量:
2
1
作者
程星福
刘显明
陈伟民
赖伟
雷小华
机构
重庆大学光电工程学院 光电技术及系统教育部重点实验室
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期648-652,共5页
基金
国家“863”计划(2013AA03A118)
重庆市自然科学基金(CSTC2011BA7023)
中国博士后科学基金资助项目
文摘
发光二极管(LED)在反向偏压工作状态下的电学特性在一定程度上反映PN结中载流子的传输特性。本文对反偏状态下LED的电容电导特性进行了研究,通过在直流偏置上叠加交流小信号,得到了LED反偏电容和电导随频率变化的关系。实验结果表明,随着频率的增加,LED反偏电容减小,反偏电导增加。不同I-V特性的LED具有明显不同的反偏电容电导特性。分析认为,PN结的隧穿电流和表面漏电流是引起以上现象的主因;反偏电容和电导特性可作为对LED评价的重要参数指标,实现产品质量筛选。
关键词
发光二极管(I
ED)
反偏电容
反
偏
电导
隧穿电流
Keywords
light emitting diode (LED)
reverse-biased capacitance
reverse-biased conductance
tunneling current
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
发光二极管的反偏电容和电导特性研究
程星福
刘显明
陈伟民
赖伟
雷小华
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
2
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