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发光二极管的反偏电容和电导特性研究 被引量:2
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作者 程星福 刘显明 +2 位作者 陈伟民 赖伟 雷小华 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期648-652,共5页
发光二极管(LED)在反向偏压工作状态下的电学特性在一定程度上反映PN结中载流子的传输特性。本文对反偏状态下LED的电容电导特性进行了研究,通过在直流偏置上叠加交流小信号,得到了LED反偏电容和电导随频率变化的关系。实验结果表明,随... 发光二极管(LED)在反向偏压工作状态下的电学特性在一定程度上反映PN结中载流子的传输特性。本文对反偏状态下LED的电容电导特性进行了研究,通过在直流偏置上叠加交流小信号,得到了LED反偏电容和电导随频率变化的关系。实验结果表明,随着频率的增加,LED反偏电容减小,反偏电导增加。不同I-V特性的LED具有明显不同的反偏电容电导特性。分析认为,PN结的隧穿电流和表面漏电流是引起以上现象的主因;反偏电容和电导特性可作为对LED评价的重要参数指标,实现产品质量筛选。 展开更多
关键词 发光二极管(I ED) 反偏电容 电导 隧穿电流
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