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题名反拱刻槽带加强环型爆破片装置的设计
被引量:2
- 1
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作者
周代琼
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机构
成都成航工业安全系统有限责任公司
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出处
《石油和化工设备》
CAS
2013年第2期21-24,共4页
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文摘
目前用于真空、低压液态介质的爆破片装置主要为反拱刻槽折页型,该型加工复杂性能不够稳定。文章介绍了一种反拱刻槽带加强环型爆破片装置,并阐述了该型爆破片装置的结构特点、设计思路和设计计算,可供同行或用户选用时参考。
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关键词
爆破片装置
反拱刻槽带加强环型
设计
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分类号
TQ051.3
[化学工程]
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题名应用于LOCOS隔离工艺的平坦化技术研究
被引量:1
- 2
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作者
高渊
刘英坤
邓建国
梁东升
董军平
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机构
河北工业大学信息工程学院
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期460-463,共4页
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文摘
介绍了LOCOS隔离技术的原理,研究了应用于LOCOS工艺的反刻平坦化技术,通过调整刻蚀中反应气体流量等工艺参数,在CHF3流量50 mL/min、O2流量2 mL/min条件下,获得了较好的平坦化表面。研究了应用于LOCOS工艺的CMP平坦化技术,通过调整CMP压力、转速、流量等工艺参数,控制了抛光速率和精度,提高平坦化的均匀性,在工艺条件为压力1psi(1 psi=6.89×103 Pa),转速25 r/min,流量120 mL/min时,获得了良好的平坦化形貌。通过实验对比发现,CMP平坦化效果优于反刻平坦化,适合于实际生产应用。
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关键词
局部氧化隔离
化学机械抛光
反刻
抛光速率
选择比
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Keywords
local oxidation on silicon (LOCOS)
chemical mechanical polishing (CMP)
etchback
polishing rate
selectivity ratio
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名丝网“水印”──学习“木版水印”技艺得到的启迪
被引量:1
- 3
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作者
陈聿强
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机构
中国美术学院
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出处
《丝网印刷》
2000年第5期21-24,共4页
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关键词
木版画
“木版水印”
丝网印刷
印版
反刻
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分类号
TS872
[轻工技术与工程]
TS893
[轻工技术与工程]
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