锗硅碳合金中碳的应变缓解效应研究

SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一。处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性。本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究。