抽水蓄能电站竖井式进出水口底部反向流速研究

竖井式进出水口是抽水蓄能电站采用的一种型式,但在抽水工况下出水口底板附近出现的反向流速对水头损失和结构物安全影响目前仍是一个亟待解决的难点。基于三维k-ε双方程紊流模型,采用数值模拟技术对其进行了研究,分析了水平方向扩散程度、垂直方向扩散程度(孔口高度)及进水口流速(抽水流量)三种因素对反向流速的影响,结果表明:水平方向的扩散程度越大,在出水口拦污栅处出现的反向流速的高度和流速值也越大,且在竖井扩散段内的分离范围也越大;降低盖板高度可以改善出水口拦污栅处的流速分布情况;进水口流速较大时,在出水口拦污栅底部的反向流速区较低。

经颅多普勒对椎动脉盗血的分类诊断价值

目的探讨经颅多普勒超声(TCD)对椎动脉盗血频谱的分类诊断的价值。方法收集和分析TCD显示一侧椎动脉呈盗血血流频谱同时行颈部CT血管成像(CTA)或磁共振血管成像(MRA)检查的22例病例的临床和影像学检查资料。TCD对椎动脉盗血严重程度分级,CTA和MRA评价血管的狭窄程度。病例分为单纯锁骨下动脉狭窄、锁骨下动脉狭窄伴患侧椎动脉纤细或狭窄、单纯椎动脉盗血3组,并分析3组间临床指标和椎动脉TCD参数。结果22例病例中,单纯锁骨下动脉狭窄者10例,锁骨下动脉狭窄伴患侧椎动脉纤细或狭窄者7例,单纯椎动脉盗血5例。单纯锁骨下动脉狭窄组、锁骨下动脉狭窄伴患侧椎动脉纤细或狭窄组、单纯椎动脉盗血组女性发病率分别为10%、40%、60%,右侧发生率分别为10%、57%、40%,隐匿型盗血的发生率分别为0、43%、60%,平均年龄分别为68岁、68岁、78岁。单纯椎动脉盗血组患侧椎动脉反向峰值流速(48±34)cm/s,单纯锁骨下动脉狭窄组、锁骨下动脉狭窄伴患侧椎动脉纤细或狭窄组患侧椎动脉反向峰值流速(9±14)cm/s,2组比较有统计学差异(Z=-2.219,P=0.026)。利用测量患侧椎动脉反向峰值流速来鉴别单纯椎动脉盗血的曲线下面积(AUC)为0.829,当以18 cm/s为界值时,敏感性为76.5%,特异性为80%。结论左侧锁骨下动脉狭窄是引起椎动脉出现盗血流频谱最常见的原因。当椎动脉盗血频谱表现为隐匿型、病变在右侧、患者为女性、年龄>70岁时,需考虑伴椎动脉纤细或狭窄,或单纯椎动脉盗血的可能。患侧椎动脉反向峰值流速对于诊断单纯椎动脉盗血有帮助。

横向槽沟内非均匀流的试验研究

以横向槽沟中产生的非均匀流为研究对象 ,通过水槽概化模型试验 ,在实测纵向流速分布的基础上 ,分析了不同来流条件及不同槽沟边坡角度下的槽沟内水面流速、槽底流速等沿程变化规律 ,同时还得到了计算槽沟内反向平均流速及正向平均流速的经验公式。

Performance and Effectiveness of UniFET^TM II MOSFET in HID Lamp Ballast

An advanced cell structure and lifetime control technology has enhanced on-resistance and reverse recovery performance of power MOSFET （metal oxide semiconductor field-effect transistor） simultaneously. This paper introduces a newly developed planar MOSFET--UniFETTM Ⅱ MOSFET--with highly improved body diode characteristics, and presents its performance and effectiveness. UniFET II MOSFET is divided into normal FET（field effect transistor）, FRFET （fast recovery field effect transistor）, and Ultra FRFET MOSFETs according to the concentration of lifetime control, and their reverse recovery times are about 70%, 25%, and 15% of that of a conventional MOSFET, respectively. To verify the performance and effectiveness of the new MOSFET, an experiment using a 150 W HID （high intensity discharge） lamp ballast that includes a mixed frequency inverter was implemented. As a result, it was verified that two UniFET Ⅱ MOSFETs can replace two conventional MOSFEs and four additional FRDs （fast recovery diodes） without MOSFET failure.