二极管反向漏电流特性测试仪的设计

设计了一款在0～100℃和反向电压‰为0～1000V条件下，能够测试二极管反向漏电流特性的测试仪．它采用桥式输入、ICL7650组成的高精度放大电路、ADC0804和AT89S51完成了高压到低压的转换、信号的放大、采样、量化及显示，通过编程软件对测试结果进行修正，提高系统的测量精确度．对二极管IN4007的测试结果表明：所得反向漏电流分辨率达0．1nA，准确度达1．79％．

减小汽车整流二极管反向漏电流的工艺探讨

本文分析了汽车整流二极管反向特性差的原因,采用适当配比的HF-HNO_3混合液腐蚀的方法达到了合理的表面造型,并用液相钝化技术使二极管的反向特性得到明显改善.

SiC MESFET反向截止漏电流的研究

给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升。从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和功率增益也分别提高了10%和1.5 dB。该方法充分发挥了SiC材料能形成自身氧化层的优势,结合Si工艺的特点,减小了氧化层的缺陷,并在一定程度上减小了器件的寄生电容。

压力传感器的零点电漂移与反向漏电问题

指出过去在标征压力传感器的指标时,忽略了力敏电阻的非线性、零点电漂移、反向漏电流,但是这些问题对压力传感器的质量却有很大的影响;重点讨论了零点电漂移,并从理论上分析指出:零点电漂移起因于力敏电阻的非线性,可利用零点电漂移消除压力传感器的零热点漂移;讨论了造成力敏电阻非线性、电漂移、漏电流的各种因素,还提出一个表明零点热漂移和反向漏电流之间与传统公式不同的关系式。

肖特基势垒反向隧穿电流的计算模型与特征分析

运用数值计算方法分析了肖特基势垒反向隧穿电流的场发射(FE)、热场发射(TFE)以及基于WKB近似的积分计算模型等三种模型之间的关系,阐述了场发射与热场发射模型的不足。通过分析积分计算模型的数值计算结果,探讨了肖特基势垒反向隧穿电流随能量峰状分布的基本特征。

晶格匹配InAlN/GaN异质结肖特基接触反向电流的电压与温度依赖关系

测量了晶格匹配InAlN/GaN异质结肖特基接触的反向变温电流-电压特性曲线,研究了反向漏电流的偏压与温度依赖关系.结果表明:1)电流是电压和温度的强函数,饱和电流远大于理论值,无法采用经典热发射模型解释;2)在低偏压区,数据满足ln(I/E)-E^(1/2)线性依赖关系,电流斜率和激活能与Frenkel-Poole模型的理论值接近,表明电流应该为FP机制占主导;3)在高偏压区,数据满足ln(I/E)-E^(1/2)线性依赖关系,电流斜率不随温度改变,表明Fowler-Nordheim隧穿机制占主导;4)反向电流势垒高度约为0.60 eV,远低于热发射势垒高度2.91 eV,表明可导位错应是反向漏电流的主要输运通道,局域势垒由于潜能级施主态电离而被极大降低.

N型单晶离子注入电池反向漏电原因及对策

本文通过一系列的验证试验查找离子注入电池生产中遇到的反向漏电流大的成因并提出解决办法,对提升产品合格率起到关键作用,最终达到降低生产成本的目的。

漏电低软度大的4500 V FRD设计

为了满足4500 V快恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)反向偏置漏电低、反向恢复软度大的应用要求,介绍了一种新的FRD设计方法。该设计通过优化阳极掺杂,采用轻离子辐照和电子辐照相结合的寿命控制方式来增加FRD的反向恢复软度,降低FRD的元胞漏电流,并通过台阶形场板保护环结构来降低保护环的漏电流。采用203.2 mm(8英寸)平面栅加工工艺制作芯片并封装成4500 V/3000 A FRD模块,模块在高温125℃下的正向压降为3.1 V,反向偏置漏电流为10 mA,反向恢复能量为5300 mJ,反向恢复软度为1.24,反向恢复电流下降速度为6000 A/μs时,承受的极限功率可达8 MW。

少数载流子寿命横向非均匀分布的快恢复二极管特性

提出了一种快恢复二极管新结构 :少数载流子寿命横向非均匀分布 (m inority- carrier life tim e lateral non- u-niform distribution,ML D)结构 .利用普通的 p+ nn+ 二极管芯片 ,通过掩蔽扩散选择性地掺入深能级杂质 ,制备出了掺 Au、Pt的 ML D快恢复二极管 .测试结果表明 ,虽然这种快恢复二极管正向压降 -反恢时间兼容特性略差 ,且反向漏电流较大 ,但是具有十分良好的反恢时间 -温度的稳定特性 ,可以用于对反恢时间变化要求严格的领域 .

1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制

基于SiC结势垒肖特基（JBS）二极管工作原理及其电流/电场均衡分布理论,采用高温大电流单芯片设计技术及大尺寸芯片加工技术,研制了1 200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS二极管。该器件采用优化的材料结构、有源区结构和终端结构,有效提高了器件的载流子输运能力。测试结果表明,当正向导通压降为1.60 V时,其正向电流密度达247 A/cm^2（以芯片面积计算）。在测试温度25和200℃时,当正向电流为100 A时,正向导通压降分别为1.64和2.50 V;当反向电压为1 200 V时,反向漏电流分别小于50和200μA。动态特性测试结果表明,器件的反向恢复特性良好。器件均通过100次温度循环、168 h的高温高湿高反偏（H3TRB）和高温反偏可靠性试验,显示出优良的鲁棒性。器件的成品率达70%以上。

JBS结构肖特基整流器

介绍了结势垒控制肖特基整流管(Junction-Barrier-controlled Schottky-Rectifier,JBS)的结构原理,论述了JBS结构肖特基整流器的正向特性和反向特性,通过对扩散掩膜尺寸m和扩散P+区时窗口宽度S的工艺模拟,归纳出m、s变化对器件参数正向压降和反向漏电流密度的影响。并通过实际产品进行验证,得出JBS结构肖特基整流器漏电流小的特点,利于功率肖特基二极管得到更广泛的应用。

一种适用于低电压应用的低漏电高性能电荷泵

文章提出一种适用于低输入电压应用的新型电荷泵,电路采用一种由NMOS晶体管和小电容组合而成的电压转换开关,通过将开关的栅极连接到时钟信号以控制电荷泵各阶之间的节点电压的变化,使得电荷泵的电荷转移开关阻值降低,同时反向漏电流减小。以4阶电荷泵为例,采用SMIC 40 nm CMOS标准工艺库进行仿真以验证该结构的有效性。仿真结果表明,与传统的栅极偏置电荷泵相比,该结构的反向漏电流降低约78.9%,上升时间降低约45.4%,电压转换效率提高约4.1%,最大功率效率达到81.9%,轻负载时效率最大提高21.9%。

Diodes提供超级势垒整流器优化固态MR16 LED改造灯

Diodes公司推出SBRT3M40P1沟槽超势垒整流器（SBR）产品，经优化使用小外形尺寸提供低正向电压降，同时保持低反向漏电流，以满足集中于12VACLED改造灯的固态照明（SSIL）应用中的输入桥整流器要求，针对受欢迎的MRl6卤素灯提供更高效且使用寿命更长的替代产品。

Diodes全新SBR整流器可缩小充电器

Diodes推出1SA电流额定值的SBR1SUSOSP5超级势垒整流器，以满足新一代智能手机及平板电脑充电器的需求。这个微型SBR整流器通过低正向电压和低反向漏电流的特性测试，

用硅整流器取代闸流管改造高频设备

目前我国大多数高频感应加热设备都是60～70年代的产品,结构庞大、能耗高、自动化程度和效率低。随着电子技术的发展,新的代换设备已经问世。但若将旧高频设备全部淘汰,则经济上难以承受,技术上也无必要,而采用成熟、先进的技术有计划地改造老高频设备则更为合理。

SBR15U50SP5：超级势垒整流器

Diodes公司推出15A电流额定值的SBR15U50SP5超级势垒整流器（SBR，superbarrierrectifier），以满足新一代智能手机及平板电脑充电器的需求。这个微型SBR整流器通过低正向电压和低反向漏电流的特性测试，能够承受超薄断续模式反激式充电器在设计上更高的电流脉冲和工作温度。

Diodes全新SBR整流器可缩小充电器

Diodes公司推出15A电流额定值的SBR15U50SP5超级势垒整流器（Super Barrier Rectifier,SBR）,以满足新一代智能手机及平板电脑充电器的需求。这个微型SBR整流器通过低正向电压和低反向漏电流的特性测试,能够承受超薄断续模式反激式充电器在设计上更高的电流脉冲和工作温度。

漏电低软度大的3300V FRD设计

为了满足3300 V FRD反向漏电低,反向恢复软度大的应用要求,本文介绍了一种新的FRD设计。该设计通过优化阳极掺杂,采用轻离子辐照和电子辐照相结合的寿命控制方式来增加FRD的反向恢复软度,降低FRD的漏电流,通过台阶形场板保护环结构来降低保护环的漏电流。采用8英寸平面栅加工工艺得到的芯片封装成了3300 V/1500 A FRD模块。模块在高温150℃下的V_(F)为2.18 V,漏电流I_(R)为10 mA,反向恢复能量(E_(rec))为1665 mJ,关断软度为3.67,反向恢复极限di/dt为8000A/us时承受的功率可达3210 kW。

5000A浪涌电流测试仪

介绍了５０００Ａ浪涌电流测试仪的技术指标、工作原理和测试方法。分析和实践证明，它是一种测量整流二极管有关技术参数的经济实用的测量仪器，已获得实际应用。

晶体硅光伏组件热斑失效问题研究

以不同反向漏电流等级的多晶硅太阳电池封装成的光伏组件和实际发生热斑失效的光伏组件为研究对象,通过数值模拟和实验研究的方法,对晶体硅光伏组件热斑失效的机理和规律进行理论分析与实验验证。研究结果表明:在阴影遮挡环境下被遮挡组件区域温度和太阳电池反向电流成正向相关性,即反向漏电流越大,组件温度越高;实验同时发现即使在完全无阴影遮挡的情况下,光伏组件也可能因组件封装过程中存在虚焊、空焊等接触不良连接点,形成微小间隙,引发电弧效应,从而导致严重的热斑失效。