应用于物流仓储的偶极子反向电流对天线的研究

在射频识别系统中,天线的设计会影响整个RFID系统的功能。为增大RFID在物流仓储中的识别区域,保证一个较大区域内稳定的标签识别率,阅读器天线需要在一个较大面积内产生一个均匀的磁场分布。通过设计出一种偶极子反向电流对阅读器天线来解决这个问题。通过测试仿真发现:适当调整新引入电流的相位,增加偶极子对数,可以提高天线区域内磁场分布的均匀度,增大识别范围,消除识别区域的"识别盲区"。该天线仿真结果表明:天线的中心频率为915 MHz,对于-10 dB的端口反射系数的带宽范围为900～945 MHz,增益达到了6 dB。

特高频反向电流对结构参数分析与设计

对基于反向电流对(oppositely directed currents,ODCs)技术的特高频(ultra-high frequency,UHF)近场(near field)射频识别(radio frequency identification,RFID)阅读器天线的结构参数对两单元上电流分布的影响进行了深入的研究.天线的激励单元长度与工作频率给定时,寄生单元长度和两单元间距决定了天线两单元上电流相位差.当寄生单元的长度与两单元间距之间达到某一对应关系时,两单元上形成反向电流.在进行反向电流对设计时,天线的结构参数影响天线周围磁场分布,可根据实际所需要的磁场及识别区域的大小,灵活选择寄生单元的长度及其对应的单元间距.当两单元间距较小时,寄生单元长度取λ/2为宜;当两单元间距较大时,寄生单元长度的取值范围也较大.最终给出两组设计实例验证了该设计方法的合理性.

基于反向恢复电流的绝缘栅双极型晶体管模块动态结温估测方法

针对传统结温估测方法响应速度慢、测量误差大问题,采用绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块的反向恢复电流作为温敏电参数,提出一种新型结温估测方法.分析了IGBT模块结温和负载电流对反向恢复电流的影响机理,并建立了三者间的理论关系.考虑实际工况并采用试验数据拟合得到IGBT模块的结温预测模型,通过比较试验测量数据与预测模型计算结果的差异,证实了采用反向恢复电流提取IGBT模块动态结温的估测方法具有较高的估测精度和较快的响应速度.

一种高可靠同步整流变换器的反向电流控制电路

在成本与环保问题的强烈推动下,对功率变换器的轻载效率要求不断提高,需要在轻载下进行低功耗设计.同步整流变换器在轻载下会产生反向电流,而反向电流控制电路是提升轻载效率的有效手段.传统的反向电流控制电路需要电流采样,或者特定的控制芯片实现,不具备高可靠、低成本的特点.因此针对高可靠应用,提出了一种新型反向电流控制电路,仅需要少量元器件以及通用PWM控制器即可实现轻载反向电流的阻断.首先,对轻载下反向电流的产生机理进行了阐述,得到反向电流主要流过同步续流管的结论.其次,详细介绍了提出电路的工作原理,推导了关键参数的表达式,并进行仿真.最后,将该电路应用于一款100 W的正激同步整流变换器中,并进行参数设计.测试结果显示,应用该电路的样机可以实现全输入电压范围下的反向电流控制,轻载效率提升了约10%-20%,空载电流降低了87%,输出电压的负载瞬态与负载调整率基本不受影响.

一种低反向恢复电流的无电压回跳RC-IGBT设计

提出了一种无电压回跳的逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)结构,在集电极侧场截止层下方加入了一个N型层作为高阻层且把N+集电区部分替换为P型薄层,通过加入的N型高阻层增加集电极电阻,同时用P型薄层保证在初始导通时集电区的空穴能够在第一时间注入,消除了电压回跳现象,并且使器件的反向恢复电流峰值降低了15 A/cm^(3),同时改善了器件的关断特性,关断时间减小了103 ns。相较于传统FS RC-IGBT,反向恢复峰值电流降低了33.3%,关断时间减小了9.93%。

低压电流互感器校准回路电流谐波提取与叠加研究

为解决低压电流互感器在线校准中运行电流反向叠加受谐波干扰严重的问题,提出一种电流信号谐波提取与反向叠加方法来减小电流中的高次谐波。该方法首先采用快速傅里叶变换(FFT)来对电网信号进行分析处理,然后设计高通滤波器滤出电网电流谐波分量,最后进行反向后与电网电流信号叠加降低高次谐波分量。结果表明,仿真信号中高次谐波分量减少了99%,在实际信号中高次谐波分量较小的情况下,谐波分量减少了80%。

周期反向电流法高电流密度电解精炼铜的研究

模拟铜电解精炼工业生产条件 ,在小型电解槽中研究周期反向电流法高电流密度电解精炼铜的可行性。并用XRD、SEM及等离子体发射光谱研究杂质对铜沉积的结构和组成的影响。研究表明 :当电流密度为 40 0A·m- 2 ,电流周期阴极沉积时间 75s溶解时间 1 5s ,添加剂用量 (g·dm- 3) :硫脲 0 0 10、骨胶 0 0 10、Cl- 0 0 5 0 ,有害杂质含量 (g·dm- 3) :As(Ⅴ )≤ 3 0、Sb(Ⅲ )≤ 0 15、Bi(Ⅲ )≤ 0 1时能获得表面光滑平整纯度为 99 99%的电解铜。以 40 0A·m- 2 的周期反向电流电解时 ,铜沉积的电结晶生长形态为脊状 +块状 ,晶面择优取向为 (2 2 0 ) 。

串联补偿线路电流反向对差动保护的影响及对策

随着电力系统的发展,串联补偿线路上原来并不存在的电流反向问题逐步显现。文中详细分析了串联补偿线路发生电流反向的机理,针对应用最广泛的电流差动保护分析电流反向对其的影响。分析结果表明,作为保护高阻接地的零序差动保护在电流反向时可能发生灵敏度降低甚至拒动的情况。提出了一种新的零序差动保护改进算法,不仅可以有效解决灵敏度降低的问题,同时具有普适性,可用于各种类型串联补偿线路。仿真实验和实际工程应用验证了该方法的有效性和可靠性。

高频群脉冲电化学微小型加工中的反向电流与压力波

针对脉冲电化学加工 ,建立了反向电流和压力波的数学模型 ,提出了高频群脉冲电化学加工方法。结果表明 ,充分发挥反向电流作用的电源频率在 1 0～ 2 4kHz之间 ,压力波频率在 40 0～ 1 333Hz之间。反向电流仅与电极本身有关 ,它决定了高频群脉冲电化学加工的主脉冲频率 ;压力波则除了电极外 ,还与电解质性质和流速、极间间隙和电压等有关 ,它决定了高频群脉冲电化学加工的调制脉冲频率。根据模拟结果设计的实验表明 。

动态死区抑制MOSFET反向恢复电流的研究

功率MOSFET器件组成桥臂式拓扑结构时,由于其内部寄生的二极管反向恢复特性较差,开关过程将产生较大的反向恢复电流,引起关断电压尖峰以及漏源极和栅源极之间的振荡。分析了桥臂上下管死区大小与反向恢复电流之间的关系,提出通过动态优化死区来减小反向恢复电流的方法。给出了死区与反向恢复电流关系的初步仿真结果,并基于两种不同反向恢复特性的MOSFET器件进行了实验研究。仿真和实验结果表明,使用动态死区可有效抑制MOSFET器件的反向恢复电流,并减小由反向恢复引起的开关损耗以及关断电压的尖峰和振荡。

部分完美晶体器件工艺的改进和pn结反向电流的降低

为降低pn结反向电流可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺(PCDT).在实施过程中,作者对吸除工艺,应力补偿工艺等作了改进,进一步降低了反向电流.

周期反向电流技术用于熔盐体系镀锆

本文使用周期反向电流技术(PRC)考察了氟化物熔盐体系中锆的电镀。实验表明,PRC技术对熔盐体系中锆的电镀有显著作用且能比常规电镀提高电镀速度4倍以上。XRD分析发现,由此得到的锆镀层均沿(001)方向择优取向。较详细地分析讨论了电镀过程中锆的电沉积机理。

C-DCDS在零极距电解槽中克服反向电流的实际应用效果

分析离子膜电解装置中反向电流的产生原因和危害。介绍了在主整流器停止后,中间直流电流断路开关克服离子膜法电解槽中反向电流影响的实际应用效果。

反向关态电流在热载流子蜕变效应研究中的应用

本文研究了ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件的反向关态电流（Ｉｏｆｒ）特性．我们发现，刚受过热载流子应力的器件Ｉｏｆｒ呈现一个突然的增高，而在随后的一段时间里（我们定义其为弛豫时间）又呈指数下降，这一现象是由于在热载流子应力过程中注入的热空穴的消散造成的．所以我们认为Ｉｏｆｒ不但可以作为热空穴注入的有力证据，而且可以作为热空穴研究的有效手段．

应用周期反向电流电解精炼铜的研究

提高铜电解电流密度的主要障碍是阳极的钝化 ,用周期反向电流能相对地防止阳极钝化 ,从而电流密度可提高到 40 0A/m2 .经过实验 ,确定采用反向电流的操作条件及电解诸因素对反向电流电解的影响 ,从而初步确立了反向电流电解精炼铜的生产工艺 .

二极管反向饱和电流取值的实验分析

采用电压大范围,小间隔变化的方法确定了二极管的饱和电流,实验结果表明,这种方法比较合理。

离子膜电解槽停车时反向电流的产生、危害及防止措施

介绍了离子膜电解槽停车时反向电流产生的原因及其危害,提出了改进设计、工艺参数及设备等防止反向电流的措施。

PN结反向饱和电流的实验研究

对PN结反向饱和电流进行了精确测量,研究了PN结反向饱和电流与温度之间的关系,证明此关系遵循指数分布规律。

雪崩整流二极管反向过电流能力的研究

对雪崩整流二极管反向过电流损坏机理进行了分析，提出了在结构设计上提高反向过电流能力的措施。局部过热和双雪崩的作用是诱发器件损坏的主要原因。在结构上采用非穿通结构和尽可能提高基区掺杂浓度可提高雪崩整流二极管的反向过电流能力，理论上，双边对称突变结结构更有利于提高反向过电流能力。

周期反向电流法电解精炼铜的研究

模拟铜电解精炼工业生产条件 ,在小型电解槽中探讨周期反向电流电解精炼铜的可行性。研究表明 :当电流密度为 40 0A·m 2 ,电流周期沉积电流 75秒 ,溶解电流 1 .5秒 ,添加剂用量 (g·dm 3) :KCl0 .1 0 5、骨胶 0 .0 1 0、硫脲 0 .0 1 0 ,有害杂质含量 (g·dm 3) :As5 + ≤ 3.0、Sb3+ ≤ 0 .1 6、Bi3+ ≤ 0 .1 0时 ,能获得表面光滑平整 ,纯度为99.