用于UHF RFID标签的低功耗BLF产生电路

提出了一种反向散射链路频率生成电路,用于符合EPCTM Class1 Generation2协议的无源超高频射频识别(UHF RFID)芯片.该电路在读写器发送Query命令时生成控制信号,使积分器产生参考电压,控制弛张振荡器产生符合协议要求的反向散射链路频率.该电路采用TSMC0.18μm CMOS工艺实现.测试结果表明,在1V工作电压下功耗为0.52μW.采用该电路的UHFRFID芯片可以提高芯片工作距离以及读取速率.

一种用于UHF RFID标签的低功耗PIE解码与BLF生成电路

提出了一种全新的低功耗PIE(Pulse Interval Encoded)解码及反向散射链路频率BLF(Backscatter Link Frequency)生成电路,用于符合EPC Gen2协议的无源超高频射频识别(UHF RFID)芯片。该电路在读写器发送命令时,产生控制信号。所产生信号控制两个积分器生成三个比较电压,并通过两个比较器进行比较,完成对PIE信号的解码;同时控制另一积分器,产生参考电压,控制弛张振荡器生成符合协议要求的BLF。基于TSMC0.18μm CMOS工艺的仿真结果表明,本文所提出电路在1V工作电压下功耗为1.36μW,采用该结构的芯片可以提高工作距离以及读取速率。

基于BLF时钟的RFID低功耗数字基带设计

提出了一种符合ISO/IEC 18000-6C协议中关于时序规定的射频识别(RFID)无源标签芯片低功耗数字基带处理器的设计。基于采用模拟前端反向散射链路频率(BLF)时钟的方案,将BLF的二倍频设置为基带中的全局时钟,构建BLF和基带数据处理速率之间的联系;同时在设计中采用门控时钟和行波计数器代替传统计数器等低功耗策略。芯片经TSMC 0.18μm CMOS混合信号工艺流片,实测结果表明,采用该设计的标签最远识别距离为7 m,数字基带动态功耗明显降低,且更加符合RFID协议的要求。

基于高、低温环境的汽车电子标识性能研究

通过对汽车电子标识在高、低温环境下的性能影响因素进行分析,发现其在高、低温环境下的性能具有一定的降低。针对电子标识在高、低温环境下性能降低的情况,在黑龙江省漠河县和新疆吐鲁番市分别进行应用测试以验证其在实际低温和高温环境下的效果,所测试的数据和方法对建设和推广汽车电子标识系统具有重大意义,且为后续汽车电子标识的改进提供参考。