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Hg_(1-x)Cd_xTe反型层子能带结构的实验研究 被引量:2
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作者 褚君浩 R.Sizmann +2 位作者 F.Koch J.Ziegler H.Maier 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第5期332-340,共9页
本文在4.2K下测定了液相外延HgCdTe MIS结构样品的电容谱,磁阻振荡以及迴旋共振效应,并从实验测量结果,采用物理参数拟合法,确定了该样品在电量子限条件下反型层电子子能带结构,包括基态子能带能量E_o、费密能级E_F,子能带电子有效质量m... 本文在4.2K下测定了液相外延HgCdTe MIS结构样品的电容谱,磁阻振荡以及迴旋共振效应,并从实验测量结果,采用物理参数拟合法,确定了该样品在电量子限条件下反型层电子子能带结构,包括基态子能带能量E_o、费密能级E_F,子能带电子有效质量m~*(E_F)、m~*(E_o)、反型层平均厚度Z_i、耗尽层厚度Z_d,以及它们随子能带电子浓度N_s的变化。 展开更多
关键词 HGCDTE 能带结构 反型层子 实验
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