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考虑量子化效应的MOSFET栅电容减小模型
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作者 代月花 陈军宁 +2 位作者 柯导明 吴秀龙 徐超 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期333-337,共5页
基于改进后的三角势阱近似和n型多晶硅的耗尽以及MOSFET的强反型的情况,建立了一个考虑量子效应的栅电容模型.分别对反型层电容和耗尽层电容进行定义、分析和计算,给出了MOSFETs栅电容解析表达式,并与数值模拟结果进行了比较.结果表明... 基于改进后的三角势阱近似和n型多晶硅的耗尽以及MOSFET的强反型的情况,建立了一个考虑量子效应的栅电容模型.分别对反型层电容和耗尽层电容进行定义、分析和计算,给出了MOSFETs栅电容解析表达式,并与数值模拟结果进行了比较.结果表明该模型是基于物理的解析模型,具有相当精度,便于电路模拟与设计. 展开更多
关键词 量子效应 栅电容 反型层电容 耗尽层电容 表面电场 金属-氧化物-半导体场效应管
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