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薄膜双栅MOSFET体反型现象的研究
被引量:
1
1
作者
方圆
张悦
李伟华
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期270-274,共5页
通过对QM模型的介绍,说明了薄膜双栅MOSFET体反型现象是量子效应的结果,并对QM模型中提出的反型层质心概念进行了剖析,阐述了其重要的物理意义和应用价值。利用反型层质心概念,提出了一组形式非常简单,且与体硅单沟道MOSFET表达式十分...
通过对QM模型的介绍,说明了薄膜双栅MOSFET体反型现象是量子效应的结果,并对QM模型中提出的反型层质心概念进行了剖析,阐述了其重要的物理意义和应用价值。利用反型层质心概念,提出了一组形式非常简单,且与体硅单沟道MOSFET表达式十分相似的薄膜双栅MOSFET亚阈值区反型层载流子浓度和亚阈值电流的表达式,与MEDICI模拟结果的比较证明了其精确性。应用反型层质心及所提出的亚阈值区模型,对薄膜双栅MOSFET体反型现象进行了深入的分析,提出了一个能够较好体现体反型作用的硅膜厚度范围。
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关键词
薄膜双栅
MOSFET
QM模型
体反型
反型层质心
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职称材料
题名
薄膜双栅MOSFET体反型现象的研究
被引量:
1
1
作者
方圆
张悦
李伟华
机构
东南大学微电子中心
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期270-274,共5页
基金
模拟集成电路国家重点实验室资助项目(51439090101JW0601)
文摘
通过对QM模型的介绍,说明了薄膜双栅MOSFET体反型现象是量子效应的结果,并对QM模型中提出的反型层质心概念进行了剖析,阐述了其重要的物理意义和应用价值。利用反型层质心概念,提出了一组形式非常简单,且与体硅单沟道MOSFET表达式十分相似的薄膜双栅MOSFET亚阈值区反型层载流子浓度和亚阈值电流的表达式,与MEDICI模拟结果的比较证明了其精确性。应用反型层质心及所提出的亚阈值区模型,对薄膜双栅MOSFET体反型现象进行了深入的分析,提出了一个能够较好体现体反型作用的硅膜厚度范围。
关键词
薄膜双栅
MOSFET
QM模型
体反型
反型层质心
Keywords
Thin Si-film
Double-gate
MOSFET
QM model
Volume inversion
Inversion-layer centroid
分类号
TN301 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
薄膜双栅MOSFET体反型现象的研究
方圆
张悦
李伟华
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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