6H-SiC反型层电子库仑散射

提出了一种综合的SiC反型层库仑散射解析模型 ,并在模型中考虑了库仑电荷中心的相关性 .对6H SiC反型层电子迁移率进行了单电子MonteCarlo模拟 ,模拟结果和实验值相符 .模拟结果表明 ,当有效横向电场变小时库仑散射的作用将增强 。

界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响

针对界面态密度在禁带中的不均匀分布 ,分析了界面态电荷对n沟 6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响 .分析结果显示 ,界面态电荷使n沟碳化硅器件的场效应迁移率明显降低 .

SiC-MOS界面优化的工艺验证及MOSFET电学特性仿真拟合

SiC因其优越的电学特性,已发展成为高压功率器件领域的翘楚。然而,SiC与SiO_(2)界面存在高密度界面态,使得SiC MOSFET沟道迁移率远低于SiC材料本身的体迁移率,大大约束了SiC材料本身电学性能的发挥。为改善反型层沟道迁移率,不同功率器件厂商采用了不同的栅极氧化工艺,所实现的栅极氧化层界面态密度各有不同,现有的功率器件仿真软件提供的多种界面态能级分布模型都需要芯片厂商实际的流片数据作为支撑,这对功率器件上游设计人员产生了阻碍。基于此,文章通过流片测试数据,结合TCAD仿真软件给出了一种用于SiC MOSFET器件仿真的界面态能级分布模型。利用给出的界面态能级分布模型,与实际产品对比,仿真得出的I-V曲线与测试曲线基本重合。