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采用MEMS技术制造硅磁敏三极管
被引量:
7
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作者
温殿忠
穆长生
赵晓峰
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2001年第5期49-52,共4页
阐述了采用MEMS技术与反外延技术相结合在硅片表面制造具有矩形板状立体结构的硅磁敏三极管的设计原理、结构和工艺。结果表明 ,设计的硅磁敏三极管制造技术不但能与IC工艺相兼容 ,而且便于集成化 ,将有广泛的应用领域。
关键词
MEMS
技术
反外延技术
硅磁敏三极管
下载PDF
职称材料
题名
采用MEMS技术制造硅磁敏三极管
被引量:
7
1
作者
温殿忠
穆长生
赵晓峰
机构
黑龙江大学敏感技术研究所
出处
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2001年第5期49-52,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目! (60 0 760 2 7)
文摘
阐述了采用MEMS技术与反外延技术相结合在硅片表面制造具有矩形板状立体结构的硅磁敏三极管的设计原理、结构和工艺。结果表明 ,设计的硅磁敏三极管制造技术不但能与IC工艺相兼容 ,而且便于集成化 ,将有广泛的应用领域。
关键词
MEMS
技术
反外延技术
硅磁敏三极管
Keywords
MEMS techniques
turn-extensing techniques
magnetic-sensitive silicon transistor
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
采用MEMS技术制造硅磁敏三极管
温殿忠
穆长生
赵晓峰
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2001
7
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