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采用MEMS技术制造硅磁敏三极管 被引量:7
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作者 温殿忠 穆长生 赵晓峰 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第5期49-52,共4页
阐述了采用MEMS技术与反外延技术相结合在硅片表面制造具有矩形板状立体结构的硅磁敏三极管的设计原理、结构和工艺。结果表明 ,设计的硅磁敏三极管制造技术不但能与IC工艺相兼容 ,而且便于集成化 ,将有广泛的应用领域。
关键词 MEMS技术 反外延技术 硅磁敏三极管
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