基于电容补偿技术的毫米波反射式衰减器设计

为提升衰减精度和附加相移性能,采用电容补偿技术吸收了开关管的寄生效应,设计了2款5位毫米波反射式衰减器芯片.通过剖析3种基本电容补偿拓扑,借助史密斯圆图,分析负载反射系数、衰减量和附加相移随补偿电容的变化情况,总结出采用电容补偿技术设计反射式衰减器的设计流程和优化方法,并流片验证.2款芯片均集成有1个五位衰减器和1个单刀双掷开关,总芯片面积均为3 mm×1 mm.其中芯片A基于0.5μm砷化镓PHEMT工艺,采用了尾电容补偿技术;芯片B基于0.15μm砷化镓PHEMT工艺,采用了开关管前/后电容补偿技术.结果表明,2款芯片包含开关的插入损耗均小于4.5 dB,其中衰减器的插入损耗均小于3 dB,衰减均方根误差都小于0.4 dB,输入1 dB压缩功率都大于25 dBm,芯片A衰减相位变动小于±5°,芯片B衰减相位变动小于±2.5°.

反射式可调激光衰减器的研究

针对1 064nm激光波长,设计出一种基于斜入射时偏振光在介质分界面上不同反射率原理的连续可调激光衰减器,角度控制精度为6″、损伤阈值为100 W/cm2(连续)、0.1J/cm2(10ns脉冲)。实际测量了衰减器的透过率,透过率范围为8.5×10-5~1。分析了衰减器对传输光束质量的影响,并针对衰减器的性能改善进行了探讨。