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摩擦取向膜表面液晶薄层厚度的研究
1
作者
于涛
彭增辉
+3 位作者
乌日娜
张力
阮圣平
宣丽
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2003年第6期382-384,共3页
基于液晶具有光学单轴晶体的性质 ,结合阿贝折射仪测出了方位折射率 ,利用反射椭偏消光法测量原理解决了在多层介质膜上液晶吸附层厚度测量问题。利用这种方法测量了经过摩擦取向处理的高分子取向膜表面的液晶薄层厚度。实验发现 ,经过...
基于液晶具有光学单轴晶体的性质 ,结合阿贝折射仪测出了方位折射率 ,利用反射椭偏消光法测量原理解决了在多层介质膜上液晶吸附层厚度测量问题。利用这种方法测量了经过摩擦取向处理的高分子取向膜表面的液晶薄层厚度。实验发现 ,经过不同摩擦强度处理后的取向膜吸附液晶薄层的厚度为 5 4nm± 3nm。
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关键词
液晶
摩擦强度
阿贝折射仪
方位折射率
反射椭偏消光法
取向膜
界面效应
薄层厚度
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职称材料
题名
摩擦取向膜表面液晶薄层厚度的研究
1
作者
于涛
彭增辉
乌日娜
张力
阮圣平
宣丽
机构
中国科学院激发态开放研究实验室
出处
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2003年第6期382-384,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(199740 46
5 9973 0 2 0
+2 种基金
60 2 770 3 3)
吉林省科委基金资助项目 (2 0 0 10 5 79)
中国科学院百人计划资助项目(19990 3 5 9)
文摘
基于液晶具有光学单轴晶体的性质 ,结合阿贝折射仪测出了方位折射率 ,利用反射椭偏消光法测量原理解决了在多层介质膜上液晶吸附层厚度测量问题。利用这种方法测量了经过摩擦取向处理的高分子取向膜表面的液晶薄层厚度。实验发现 ,经过不同摩擦强度处理后的取向膜吸附液晶薄层的厚度为 5 4nm± 3nm。
关键词
液晶
摩擦强度
阿贝折射仪
方位折射率
反射椭偏消光法
取向膜
界面效应
薄层厚度
Keywords
Crystal growth
Ellipsometry
Evaluation
Silicon
Thickness measurement
分类号
O753.2 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
摩擦取向膜表面液晶薄层厚度的研究
于涛
彭增辉
乌日娜
张力
阮圣平
宣丽
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2003
0
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