汞谱线的反常塞曼效应与电子荷质比的精确测量

电子的总磁矩与外磁场B的相互作用时,体系的Hamilton量增加微扰项μJB,导致体系的简并能级发生"完全破缺"的现象,称为塞曼效应,表现为谱线分裂。本实验中,使用气压扫描式FP干涉仪和光电倍增管,观测汞546.1nm谱线在强磁场下的反常塞曼效应,以此获得电子荷质比的精确测量值。加入偏振片,通过观测π,σ±谱线的消光现象,了解其偏振状态。