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纳米材料的晶格畸变与反常过剩电阻 被引量：6
1
作者 秦荣山 周本濂 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第10期1093-1096,共4页
利用Ｌａｎｄａｕｅｒ理论研究了纳米材料晶体部分的晶格畸变对材料电阻率的贡献．推导出Ｌａｎｄａｕｅｒ电阻率与晶格膨胀率的关系．数值计算表明，纳米金属材料的电阻率随晶格膨胀率的增加而非线性升高．
关键词 晶格畸变 电阻 纳米材料 反常过剩电阻
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