反应式脉冲激光溅射淀积AlN薄膜化学稳定性研究

就反应式脉冲激光溅射淀积制备氮化铝（ＡｌＮ）薄膜的过程，讨论了激光脉冲能量密度及脉冲频率对所制备薄膜结构性能的影响，并对薄膜的化学稳定性作了比较详细的研究。结果表明，当薄膜中存在有未反应的单质铝时，薄膜的化学稳定性极差。比较而言，具有高取向性，择优生长的致密ＡＩＮ微晶膜的化学稳定性优于结构相对疏松的非晶膜。实验测试得到，在７５℃，８５％的Ｈ３ＰＯ４溶液和２０℃，０５Ｍ的ＮａＯＨ溶液中，ＡｌＮ微晶膜的溶解速度分别为２６５ｎｍ·ｍｉｎ－１和１４６ｎｍ·ｍｉｎ－１，激活能为２３２ＫＪ·ｍｏｌ－１和３６３ＫＪ·ｍｏｌ－１；在同样条件ＡｌＮ非晶膜的溶解速率分别为５５２ｎｍ·ｍｉｎ－１和３０６ｎｍ·ｍｉｎ－１，ＡｌＮ非晶膜在Ｈ３ＰＯ４中的激活能为１８４ＫＪ·ｍｏｌ－１。

溅射和激光淀积的ZnO多晶薄膜的结构和发光性质(英文)

我们分别通过直流反应溅射及脉冲激光淀积法制备了ZnO多晶薄膜。X射线衍射结果显示出薄膜的c轴取向。原子力显微镜证实薄膜的多晶结构。两种方法制备的ZnO在光子激发下都发射较强的带边荧光。绿色荧光未被观察到。激光淀积在(001)硅表面的ZnO的发光源自“自由激子”辐射。激光淀积在(0001)氧化铝晶体表面的ZnO的发光机制则在相当宽的激发强度范围内都呈现出电子空穴等离子体(electron holeplasma)的复合特性。

真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺

Y2000-62067-199 0009387采用激光辅助 MOCVD 法在硅、蓝宝石和砷化镓上淀积掺镁 GaN=Laser assisted metalorganic chemicalvapour deposition of Mg doped GaN on Silicon,Sapphireand GaAs[会,英]/Zuo,H.Y.& Paterson,M.J.//1998 IEEE International Conference on Optoelectronicand Microelectronic Materials and Devices.—199～201(EC)

氧化锌薄膜的制备技术

介绍了氧化锌薄膜的制备方法,主要有物理和化学两种方法。物理方法有:分子束外延法(MBE),脉冲激光溅射沉积法(PLD)以及磁控溅射法;化学方法有:溶液镀膜法和各种化学气相淀积(CVD)。重点讨论了磁控溅射法的优缺点及展望。

镀膜技术及设备

TB43 97053309电致变色氧化镍薄膜的制备与性能=Preparationand properties of electrochromic nickel oxidefilms[刊,中]/张旭苹,陈国平(东南大学薄膜研究所.江苏,南京(210018))∥东南大学学报.—1996,26(3).—110—114用直流磁控反应溅射法淀积了氧化镍薄膜,研究了这种膜的淀积技术和电致变色特性,结果指出,该方法淀积的薄膜具有工艺参数易于控制,重复性好、所制薄膜致密及性能稳定优点。图6参3(严寒)TB43