反应溅射镀膜技术与离子镀技术的异同

反应磁控溅射技术与离子镀技术在薄膜特点、成膜环境以及使用范围等方面有很多相同之处,从本质上来看都属于溅射镀膜技术,但从产生机理上看还是有一些区别的,本文将从两种技术的发生原理、常见特点和工艺角度阐述其不同点。

真空镀膜技术对新型牙用烤瓷支架钴铬合金金瓷结合强度影响的研究

目的研究一种新的工程学真空镀膜技术——等离子磁控反应溅射技术对新型牙用烤瓷支架钴铬合金金瓷结合强度的影响。方法用DA9-4烤瓷支架钴铬合金制成标准金属基片,并在金属基片上瓷前利用等离子磁控反应溅射技术在其表面溅射生成一层Al2O3陶瓷薄膜,对其表面形貌、结构、厚度进行分析;金属基片与VMK95瓷粉烧结形成标准三点弯曲试件,测定其结合强度,观察金瓷界面的形貌及元素分布情况。同时,以未进行溅射镀膜基片作为对照。结果溅射镀膜组金瓷结合强度为(180.55±16.45)MPa,对照组(143.80±24.49)MPa。经统计学分析,溅射镀膜后的金瓷结合强度明显高于对照组(P<0.01)。结论等离子磁控反应溅射技术有改善新型牙用烤瓷支架钴铬合金金瓷结合强度的作用。

牙科用镍铬合金表面等离子磁控溅射氮化钛膜的摩擦磨损性能研究

目的:研究等离子磁控反应溅射氮化钛(TiN)膜对镍铬合金表面摩擦磨损性能的影响。方法:利用等离子磁控反应溅射技术,在牙科用镍铬合金表面沉积TiN离子膜,通过电镜观察TiN膜的形貌,并采用摩擦磨损仪测定其摩擦系数和磨损失重量的变化。所得数据采用SPSS11.0软件包进行t检验。结果:TiN膜的表面形貌为细小弥散均匀分布的三棱锥结构。未沉积前,摩擦系数的均值为0.651,沉积TiN膜后为0.525(P<0.05);未沉积前磨损失重量均值为0.0113g,沉积TiN膜后为0.0007g(P<0.05)。结论:牙科用镍铬合金表面等离子磁控反应溅射TiN膜后,其耐磨性能有所提高。

反应溅射沉积技术制备燃料电池催化层的模拟

反应溅射沉积技术(RSDT)可以生成纳米大小的颗粒并有效溅射形成性能稳定的催化层,是一项崭新的催化层制备技术。为从理论上研究RSDT过程的复杂物理化学过程,本文提出了RSDT过程的三维综合数学模型,模型描述了流体流动、热/质传递,并与燃料气的化学反应和液滴的燃烧相耦合。RNGκ-ε模型用于描述湍动燃烧气流,液滴的跟踪和分析在拉格朗日框架下进行,并利用Monte Carlo方法生成了催化层的表面结构。计算结果可以为该技术的优化提供一定的参考。

nc-Ge/SiO_2薄膜的光发射和光吸收研究

采用射频磁控反应溅射技术和后退火法制备了nc-Ge/SiO2薄膜材料。采用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微结构进行测试,随着退火温度的升高,衍射峰的半高宽减小,表明Ge纳米晶粒的平均尺寸逐渐增大,发现经过1 000℃退火后的薄膜具有三个明显的纳米锗衍射峰。薄膜的傅里叶红外吸收谱表明,随着退火温度的升高,薄膜的红外吸收增强。室温下,测量了不同温度退火下薄膜的光致发光谱,观察到了紫外光、紫光和橙色光。而且不同退火温度的薄膜,其光致发光谱有所不同,理论上着重讨论了紫光和橙光的发光机制。

牙科用镍铬合金表面等离子磁控溅射氮化钛膜对镍离子析出的影响

目的:研究等离子磁控反应溅射TiN膜对镍铬合金Ni离子析出的影响。方法:利用等离子磁控反应溅射技术在牙科用镍铬合金表面沉积TiN离子膜,以未溅射前为对照,浸泡于人工唾液中,通过电感偶合等离子体发射光谱-质谱连用仪(ICP-MS)定量检测Ni离子析出量。结果:沉积了TiN膜后的镍铬合金镍离子析出量均数为634.3ng/ml,而未沉积组Ni离子析出均数为3894.3ng/ml。经t检验两者具有显著的统计学差异(p<0.05)。结论:牙科用镍铬合金表面等离子磁控反应溅射TiN膜Ni离子的析出量有显著降低。

Analysis on the process of ZAO films by DC magnetron reactive sputtering

The ZAO (ZnO:Al) thin films were prepared by DC reactive magnetron sputtering technique. The relationship between the process parameters and the organizational structure,optical and electrical properties was studied. Through optimizing the process parameters,an optimal preparation parameter can be obtained. Using the optimal parameters to prepare the ZAO thin films,the resistivity of the ZAO film is as low as 4.5×10-4 Ω·cm and the average transmissivity in the visible region is around 80%,the optical and electrical properties meet the application requirements.