反应溅射沉积技术制备燃料电池催化层的模拟

反应溅射沉积技术(RSDT)可以生成纳米大小的颗粒并有效溅射形成性能稳定的催化层,是一项崭新的催化层制备技术。为从理论上研究RSDT过程的复杂物理化学过程,本文提出了RSDT过程的三维综合数学模型,模型描述了流体流动、热/质传递,并与燃料气的化学反应和液滴的燃烧相耦合。RNGκ-ε模型用于描述湍动燃烧气流,液滴的跟踪和分析在拉格朗日框架下进行,并利用Monte Carlo方法生成了催化层的表面结构。计算结果可以为该技术的优化提供一定的参考。

工艺参数对磁控反应溅射AlN薄膜沉积速率的影响

采用射频磁控反应溅射法 ,以高纯 Al为靶材 ,高纯 N2 为反应气体 ,成功制备了氮化铝( Al N)薄膜。研究了 N2 气流量、射频功率、溅射气压等工艺参数对 Al N膜沉积速率的影响规律。结果表明 ,随着 N2 气流量的增加 ,靶面溅射由金属态过渡到氮化态 ,沉积速率随之明显降低 ;沉积速率随射频功率的增大几乎成线性增大 ,随靶基距的增大而减小 ;随着溅射气压的增大 ,沉积速率不断增大 ,但在一定气压下达到最大值后 ,沉积速率又随气压不断减小。

磁控溅射镀膜技术最新进展及发展趋势预测

磁控溅射技术已经成为沉积耐磨、耐蚀、装饰、光学及其他各种功能薄膜的重要手段。探讨了磁控溅射技术在非平衡磁场溅射、脉冲磁控溅射等方面的进步,说明利用新型的磁控溅射技术能够实现薄膜的高速沉积、高纯薄膜制备、提高反应溅射沉积薄膜的质量等,并进一步取代电镀等传统表面处理技术。最后呼吁石化行业应大力发展和应用磁控溅射技术。

射频反应溅射制备MgO二次电子发射薄膜

采用氧化激活AgMg合金在表面形成MgO薄膜,以及采用射频反应溅射沉积法在不锈钢基片上分别制备了MgO薄膜和掺杂CoO的MgO薄膜,研究了制备工艺对薄膜二次电子发射系数及耐电子束轰击能力的影响.结果表明,薄膜厚度对其耐电子束轰击能力有显著影响,随着薄膜厚度的增加,耐电子束轰击能力明显增强,而射频反应溅射沉积可通过调整镀膜时间获得不同厚度的MgO薄膜.射频反应溅射的氧分压比对MgO薄膜表面质量有较大影响,随着沉积过程中氧分压比增大,MgO薄膜表面粗糙度增大,不利于二次电子发射.CoO掺杂改善了MgO薄膜表面质量,使其表面更加平整、光滑,提高了薄膜的二次电子发射系数,而且降低了薄膜表面质量对氧分压比变化的敏感性.550℃真空热处理1h使CoO掺杂的MgO薄膜发生热分解失氧且表面质量变差,导致二次电子发射系数大幅下降.在沉积过程中,提升基片温度或提高氧分压,会使薄膜中存在金属态Mg且薄膜表面质量变差,使二次电子发射系数小幅下降.

Si基体上双层Ti－O薄膜的XPS和AES分析研究

采用沉积－离子轰击－沉积工艺制备了双层Ｔｉ－Ｏ薄膜，并利用ＸＰＳ和ＡＥＳ对膜层进行了深度分析．结果发现：在氩离子轰击后的薄膜上再沉积同质薄膜，在膜表层一定厚度内可得到具有化学配比的ＴｉＯ２薄膜；氩离子的轰击使钛及碳氧化物内迁入Ｓｉ基体，而Ｓｉ外迁到膜内，并造成多价形式的Ｔｉ氧化物共存，ＴｉＯ２在这些Ｔｉ氧化物中所占的比例随沉积膜深度呈现先逐渐减少而后又逐渐增大的分布规律；此外，氩离子的轰击使得薄膜与基体在界面处形成较宽的、复杂的混合层．混合层主要由ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、未氧化完全的ＳｉＯ２－ｘ及纯Ｓｉ组成。

真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺

Y2000-62067-199 0009387采用激光辅助 MOCVD 法在硅、蓝宝石和砷化镓上淀积掺镁 GaN=Laser assisted metalorganic chemicalvapour deposition of Mg doped GaN on Silicon,Sapphireand GaAs[会,英]/Zuo,H.Y.& Paterson,M.J.//1998 IEEE International Conference on Optoelectronicand Microelectronic Materials and Devices.—199～201(EC)