冲孔落料弯曲反顶式级进模的设计

介绍冲孔落料弯曲反顶式级进模的设计思路及结构特点,它用于本厂高、低压电器设备导线接头的生产,大大提高了生产效率,满足生产的需要。

锗硅烯与H_2O加成反应的计算研究

采用密度泛函理论方法研究了两种锗硅烯(H2Ge=Si H2及Ph2Ge=Si Ph2)与H2O的加成反应的微观机理和势能剖面,分析了加成反应中区域选择性的起源.计算结果表明,H2O的单聚体、二聚体及三聚体均可作为亲核试剂与锗硅烯发生加成反应.形成Si—O键和Ge—O键的反应均为复杂反应,且Si(Ge)—O键比Ge(Si)—H键优先形成.加成反应的区域选择性由动力学因素决定.H2O作为亲核试剂的反应活性低于CH3OH.

ⅣA重元素重键化合物的合成及理论研究进展

简要综述了ⅣA族重元素多重键化合物的合成和理论研究的最新进展.概括总结了ⅣA族重元素孤立双键化合物、丙烯型分子和环丙烯型分子的合成及理论研究方面的最新成果.分析并预测了该前沿领域的未来发展趋势.

非经典多重键

在难以形成经典多重键的重原子 (第三周期以下 )之间可以形成一种非经典多重键。由于构成双键的两部分 (即两个分子片 )的基态分别是单线态 ,这种电子结构导致非经典双键由两个配位键构成 ,非经典三键则是在此基础上再加上一个π键。这种多重键的强度和键级较经典多重键为低。与两个配位键的电子结构相对应 。