高活性聚苯胺电流变液的制备与性能研究

高活性聚苯胺电流变液的制备与性能研究官建国，谢洪泉，过俊石（华中理工大学化学系，武汉，４３００７４）关键词电流变液，聚苯胺，反掺杂，电荷迁移极化电流变液（ＥＲＦ）是重要的人工智能材料和高效机电一体化的功能液体［１］．目前，研究ＥＲＦ技术的关键是提高Ｅ...

氮离子注入提高4H-SiC n-MOSFET沟道迁移率的分析（英文）

氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的沟道迁移率来自两方面的原因:一是减小了界面态密度,另一个是反掺杂。本文详细研究了这两方面的原因。结果表明,当氮的反掺杂浓度和P型衬底的掺杂浓度可以相比较的时候,氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的迁移率来自于界面态密度的减小;随着反掺杂浓度的增加,反掺杂在氮离子注入提高沟道迁移率的贡献越来越多,同时,在这种情况下,限制沟道迁移率的机制是表面粗糙度散射。

基于霍耳效应测量半导体衬底优劣浅谈如何使用检测技术助力科学实验

利用霍耳效应研究半导休材料的电阻率,载流子浓度和迁移率是霍耳的主要技术之一。文章简单介绍了霍耳效应和HL5500霍耳测量系统;分析了几组实验样品,讨论了样品性能反转可能是受到掺杂的缘故。探讨在科学实验中应该做到多批次实验与科学记录相结合的方式,以期在实验中能尽快发现实验存在的问题,调动实验热性,培养创新能力,提高专业素养,为国家的研究型和应用技术型人才培养目标做出积极贡献。