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高活性聚苯胺电流变液的制备与性能研究
被引量:
9
1
作者
官建国
谢洪泉
过俊石
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第6期965-967,共3页
高活性聚苯胺电流变液的制备与性能研究官建国,谢洪泉,过俊石(华中理工大学化学系,武汉,430074)关键词电流变液,聚苯胺,反掺杂,电荷迁移极化电流变液(ERF)是重要的人工智能材料和高效机电一体化的功能液体[1]....
高活性聚苯胺电流变液的制备与性能研究官建国,谢洪泉,过俊石(华中理工大学化学系,武汉,430074)关键词电流变液,聚苯胺,反掺杂,电荷迁移极化电流变液(ERF)是重要的人工智能材料和高效机电一体化的功能液体[1].目前,研究ERF技术的关键是提高E...
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关键词
电流变液
聚苯胺
反掺杂
ERF
全文增补中
氮离子注入提高4H-SiC n-MOSFET沟道迁移率的分析(英文)
2
作者
周郁明
李勇杰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期99-105,共7页
氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的沟道迁移率来自两方面的原因:一是减小了界面态密度,另一个是反掺杂。本文详细研究了这两方面的原因。结果表明,当氮的反掺杂浓度和P型衬底的掺杂浓度可以相比较的时候,氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的迁...
氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的沟道迁移率来自两方面的原因:一是减小了界面态密度,另一个是反掺杂。本文详细研究了这两方面的原因。结果表明,当氮的反掺杂浓度和P型衬底的掺杂浓度可以相比较的时候,氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的迁移率来自于界面态密度的减小;随着反掺杂浓度的增加,反掺杂在氮离子注入提高沟道迁移率的贡献越来越多,同时,在这种情况下,限制沟道迁移率的机制是表面粗糙度散射。
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关键词
4H-SiC金属氧化物场效应晶体管
场效应迁移率
界面态密度
氮离子注入
反掺杂
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职称材料
基于霍耳效应测量半导体衬底优劣浅谈如何使用检测技术助力科学实验
3
作者
陈大柱
刘新科
《广东化工》
CAS
2018年第17期195-196,191,共3页
利用霍耳效应研究半导休材料的电阻率,载流子浓度和迁移率是霍耳的主要技术之一。文章简单介绍了霍耳效应和HL5500霍耳测量系统;分析了几组实验样品,讨论了样品性能反转可能是受到掺杂的缘故。探讨在科学实验中应该做到多批次实验与科...
利用霍耳效应研究半导休材料的电阻率,载流子浓度和迁移率是霍耳的主要技术之一。文章简单介绍了霍耳效应和HL5500霍耳测量系统;分析了几组实验样品,讨论了样品性能反转可能是受到掺杂的缘故。探讨在科学实验中应该做到多批次实验与科学记录相结合的方式,以期在实验中能尽快发现实验存在的问题,调动实验热性,培养创新能力,提高专业素养,为国家的研究型和应用技术型人才培养目标做出积极贡献。
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关键词
霍耳效应
HL5500
反
型
掺杂
教学改革
实验教学
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职称材料
题名
高活性聚苯胺电流变液的制备与性能研究
被引量:
9
1
作者
官建国
谢洪泉
过俊石
机构
华中理工大学化学系
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第6期965-967,共3页
文摘
高活性聚苯胺电流变液的制备与性能研究官建国,谢洪泉,过俊石(华中理工大学化学系,武汉,430074)关键词电流变液,聚苯胺,反掺杂,电荷迁移极化电流变液(ERF)是重要的人工智能材料和高效机电一体化的功能液体[1].目前,研究ERF技术的关键是提高E...
关键词
电流变液
聚苯胺
反掺杂
ERF
Keywords
Electrorheological fluid,Polyaniline,Dedoping,Charging immigrating polarization
分类号
TM2 [一般工业技术—材料科学与工程]
全文增补中
题名
氮离子注入提高4H-SiC n-MOSFET沟道迁移率的分析(英文)
2
作者
周郁明
李勇杰
机构
安徽工业大学电气与信息工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期99-105,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(51177003)
安徽高校自然科学研究资助项目(KJ2016A805)
文摘
氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的沟道迁移率来自两方面的原因:一是减小了界面态密度,另一个是反掺杂。本文详细研究了这两方面的原因。结果表明,当氮的反掺杂浓度和P型衬底的掺杂浓度可以相比较的时候,氮离子注入提高4H-SiC MOSFET的迁移率来自于界面态密度的减小;随着反掺杂浓度的增加,反掺杂在氮离子注入提高沟道迁移率的贡献越来越多,同时,在这种情况下,限制沟道迁移率的机制是表面粗糙度散射。
关键词
4H-SiC金属氧化物场效应晶体管
场效应迁移率
界面态密度
氮离子注入
反掺杂
Keywords
4H-SiC MOSFET
field-effect mobility
interface trap density
nitrogen implantation
counter doping
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于霍耳效应测量半导体衬底优劣浅谈如何使用检测技术助力科学实验
3
作者
陈大柱
刘新科
机构
深圳大学材料学院
出处
《广东化工》
CAS
2018年第17期195-196,191,共3页
基金
国家自然科学基金青年项目(61504083)
广东省省级科技计划项目(2015A010103016)
<环境材料>课堂教学模式创新研究与实践
文摘
利用霍耳效应研究半导休材料的电阻率,载流子浓度和迁移率是霍耳的主要技术之一。文章简单介绍了霍耳效应和HL5500霍耳测量系统;分析了几组实验样品,讨论了样品性能反转可能是受到掺杂的缘故。探讨在科学实验中应该做到多批次实验与科学记录相结合的方式,以期在实验中能尽快发现实验存在的问题,调动实验热性,培养创新能力,提高专业素养,为国家的研究型和应用技术型人才培养目标做出积极贡献。
关键词
霍耳效应
HL5500
反
型
掺杂
教学改革
实验教学
Keywords
hall effect
HL5500
reverse doping
分类号
TQ [化学工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高活性聚苯胺电流变液的制备与性能研究
官建国
谢洪泉
过俊石
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
9
全文增补中
2
氮离子注入提高4H-SiC n-MOSFET沟道迁移率的分析(英文)
周郁明
李勇杰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
3
基于霍耳效应测量半导体衬底优劣浅谈如何使用检测技术助力科学实验
陈大柱
刘新科
《广东化工》
CAS
2018
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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