人工智能的就业反极化效应研究

基于2008-2017年中国上市公司数据,提取上市公司的人工智能相关数据,实证分析了人工智能的发展和应用对于就业结构的影响,研究发现:人工智能技术能够替代复杂劳动,对就业的影响表现出与传统信息技术不同的特征,呈现出就业反极化效应,显著提升了中技能劳动者就业比重,降低了高技能和低技能劳动者就业比重,并且在信息产业中表现尤为突出。

离子反极化效应的普遍性

提出:离子反极化效应在含三个以上离子晶体中应当是普遍存在的。(1)通过论述证明了在一些无机酸中存在离子反极化效应。解释了酸性强弱的规律性,以及磷的含氧酸酸性反常现象。(2)论述了金属氢氧化物中存在离子反极化效应。提出了反极化作用是随中心离子半径的减少,电荷增多或惰气型金属离子被非惰气型金属离子取代时而增大,其碱性减弱。(3)在一些晶体的无机含氧酸盐中也存在反极化效应。

用反极化法调试地球站天线极化角

本文依据卫星通信地球站天线有关极化隔离度的设计技术指标及运行要求,分析了极化调试的方法,根据多年工作经验,着重提出了用反极化法调试卫星天线极化角的方法,并在此基础上给出了相应的操作方法。

反极化接收的另类用途

近日接到县内某"农远工程"项目学校的求助电话,声称其远教接收系统无法正常工作,希望笔者能给予帮忙解决。本着"助人乃快乐之本"的理念,二话没说,带上工具便骑车前往。来到学校后仔细询问了管理员。

金属氢氧化物离子反极化能的计算式及应用

本文根据阴阳离子的有效核电荷数及离子半径提出了金属氢氧化物离子反极化能计算式 ,并应用此公式进行了计算 ,其理论计算结果与热力学数据△H和溶解度 pKm 吻合得很好。

离子反极化能计算式

本文认为离子反极化效应在三元或三元以上离子晶体中是普遍存在的，依据大多数离子反极化作用力与相邻另一离子极化作用力的方向相反，有时可以相互抵消，提出离子反极化能的计算式，并用热力学数据给以验证。

极化反转对一维声子晶体板带隙的影响

近年来,由压电材料构成的人工周期复合结构(声子晶体)中的波传播问题成为研究热点之一。这类结构可实现对弹性波和声波的过滤、导向和聚焦等多种调控功能,可显著提高滤波器、谐振器和波导等声表面波器件的工作性能。文章分析了带有极化反转层的一维声子晶体板的能带结构。此周期结构基于畴反转铌酸锂晶体板,由分布于板表面的矩形周期沟槽构成。针对所述模型,利用有限元法计算了声子晶体板的兰姆波带隙,并进一步研究了极化反转层对带隙宽度和带隙位置的影响。结果表明,兰姆波的带隙宽度和带隙位置均随反转层厚度的变化有明显的偏移。所得结果可为相关声学器件的设计提供理论依据。

压电陶瓷的极化反转过程

利用阻抗分析仪和重复迭代法，对Pb（Mg1／3Nb2／3）0.125Ti0．42Zr0．455O3压电陶瓷的极化反转过程进行了研究。实验数据显示出了铁电畴随电场变化的整个开关过程，发现极化反转前后压电性有着明显的不对称性，这一异常现象是和场诱应变、电滞回线数据相互对应的。经比较研究后认为，影响极化反转前后压电对称性的机理是空间电荷在晶粒表面积聚形成内偏置电场，由此建立的理论模型可以作出合理的解释。

温度对铁电体极化反转过程影响的细观力学分析

采用热力学和细观力学结合的方法,建立了考虑热、力和电影响的细观力学模型,对铁电体极化反转过程中温度对滞回曲线和矫顽场强的影响进行了研究.研究结果表明温度对滞回曲线形状和矫顽场强有显著影响,在四方相范围内,随着温度的升高,铁电体的滞回曲线变窄、变低,矫顽场强不断减小.

电场下[001]_(cub)切型弛豫铁电单晶PMN-32PT电畴的极化反转

为研究弛豫铁电单晶PMN-32PT电畴在电场下的极化反转,利用偏光显微镜研究了电场下[001]_(cub)切型PMN-32PT单晶电畴组态的变化,建立了极化反转模型.在[001]_(cub)单晶切片中,当电场强度达到4kV/cm时,电畴开始极化反转,出现平行于电场方向的畴壁,畴壁沿垂直自身的方向运动,畴壁的运动实际是畴的横向扩张;当电场强度增至6kV/cm时,畴壁消失,又出现垂直于电场方向的新畴壁;而电场强度进一步增至10kV/cm时,新畴壁也消失,且电畴消光,这表明多畴已单畴化.

准相位匹配PPKTP极化反转的监测

文中提出了采用电光效应实时监测判断KTiOPO_4(KTP)晶体周期性极化反转进程的实验方案,分析了在高压电场极化脉冲作用下,KTP晶体的电光效应的基本特性和极化电流所表现出来的峰值特性,以及它们与KTP晶体的铁电畴反转之间存在的依赖关系,并确定了用监控光强的变化来判断极化反转程度的基本依据,在监测系统的帮助下对熔盐法生长的KTP晶体进行了极化反转．最后对获得的PPKTP进行了化学蚀刻,结果表明,获得的PPKTP质量有了明显提高．倍频转换效率达到1．13%．

铌酸锂晶体铁电畴电极化反转结构的ESEM观察

采用电脉冲极化方法制作出周期性反转电畴微结构。利用热腐蚀法制备出用于环境扫描电镜 (ESEM)研究反转电畴结构的样品。通过ESEM的观察与分析,在光栅电极下方,铁电畴发生了极化反转,反转区域在Y方向上有所扩展,在Z方向逐渐变窄,没能贯穿整个晶片。通过控制光栅电极的纵宽比和电压脉冲的参数,可以在晶片的表面或一定深度得到占空比为 1∶1的正、负铁电畴交替排列的结构,达到准相位配的目的。观测到竹叶状二次电子图像衬度,它是由制样过程中局部产生应力造成的,这说明利用ESEM可以研究压电材料中的电荷分布。

用于KTP晶体极化反转的高压脉冲电源的研究

分析了KTP晶体的外电场周期极化反转的机理,设计并研制出一种采用高压开关管的高压脉冲电源,可以将任意信号发生器输出的2V方波脉冲波形放大,输出最高电压为5000V、上升沿小于50μs、最大输出电流超过30mA、脉宽为任意的方波脉冲。用此高压脉冲电源在KTP晶体上进行多次极化反转实验,得到良好的实验结果。

铁电薄膜极化反转电流的电场和温度特性研究

应用铁电薄膜极化反转的KA模型,讨论了极化反转电流随电场和温度的变化关系.结果表明,极化反转电流随电场的增加而增加,极化反转时间在低电场时成指数关系下降,高电场时幂律关系下降;在居里温度附近,极化反转电流随温度增加而减小,温度远低于居里温度时,随温度增加而增加.

(Pb1-xSrx)TiO3系铁电薄膜的极化反转特性

采用磁控溅射技术在Si基底上制备了(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电薄膜,采用双极性、双脉冲方波电压测试了其极化反转特性。测试结果表明,所制备的PST铁电薄膜的电流密度峰值达10-4A/mm2量级,开关时间可达1.0 ms左右,极化反转特性较好,有望未来在Si基集成单片红外探测焦平面阵列研制中加以应用。

强电场下部分极化反转对铁电复合物ε2的贡献

建立起适合厚片材料测试的非线性介电测试系统和相应的数据处理方法；测得了在不同场强和温度下ＰＺＴ／Ｐ［ＶＤＦ（７７）ＴｒＦＥ（２３）］０３ 型铁电复合物厚片的二阶非线性介电系数；根据Ｙａｍａｄａ 模型拟合（一阶） 介电系数的电场和温度依赖关系得到了退极化场系数Ｌｚ，并由此计算了在各电场和温度下作用于陶瓷粒子的局域场；结果说明在介电系数测试过程中，未预极化复合物试样的二阶非线性介电系数起源于分散相陶瓷粒子在局域场作用下发生的部分极化反转．

有机铁电共聚物P(VDF-TrFE)铁电极化反转机理的STM研究

本文用一种改装了的ＳＴＭ技术，可以直接观察到聚偏氟乙烯（ＰＶＤＦ）的共聚物Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）的铁电畴。这一技术我们称之为“局域压电性”探测技术。通过测量有机铁电共聚物Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）样品的表面振动，我们可以清楚地分辨出正、负和非振动畴，并记录下极化反转过程中畴结构的变化。实验结果可以用一个“非平衡的四阱势”

铁电体极化反转临界条件的细观力学分析

本文根据经典形核理论,对铁电体极化反转过程的临界条件进行了热力学研究,建立了包括温度影响、外场作用、界面能以及退极化能等的热-力-电耦合细观力学模型,计算了铁电体BaTiO3极化反转的临界形核半径和临界形核功。结果表明在畴变过程中BaTiO3的临界形核半径和临界形核功都随反向电场的增加而减小,同样电场强度作用下临界形核半径和临界形核功随着温度的升高而减小。

扫描探针显微镜对纳米尺度铁电畴极化反转的研究

利用扫描探针显微镜(SPM)的压电响应模式(PFM)和电场力响应模式(EFM)对PbTiO3/Pb(Zr0.3Ti0.7)O3/PbTiO3(PT/PZT/PT)夹心结构铁电薄膜的自发极化与纳米尺度电畴反转行为进行了研究。SPM的PFM对薄膜电畴的极化反转研究表明,在相同的有限电压下,薄膜的电畴因不同结构而不能全部反转而取向一致;同时,不对称电极产生的内建电压(场)会导致不同方向上极化反转电压的不同。SPM的EFM不宜用来研究铁电薄膜的自发极化电畴结构,但对电畴的取向极化有较高的区分度,适于研究电畴的取向极化。经正电压极化后,极化的区域呈高电势的亮区;经负电压极化后,表现为低电势的暗亮度区域。

神经元去极化反跳现象的研究进展

神经元受刺激后产生动作电位,并将该刺激信号传递给其它的神经元,进而影响整个神经回路。这种接受去极化刺激后能够产生动作电位的特性,是判断细胞是否具有兴奋性的标准。然而亦有研究表明,