基于一阶反转曲线三维Ni反点阵列磁学特性研究

采用一阶反转曲线方法研究了三维Ni反点阵列中的磁偶极相互作用和磁化反转行为。以自组装聚苯乙烯球为胶体晶体模板,采用电化学沉积法制备出有序的三维Ni反点阵列。样品的孔径尺寸均为大约500 nm,厚度依次从0.3μm到1.2μm。通过一阶反转曲线方法分析表明,随着样品厚度的增加,磁偶极相互作用减小,矫顽力分布变窄。这主要是由于随着厚度的增加,磁偶极相互作用向交换耦合作用转变的结果。

银反点阵列/TiO_2材料的制备及光催化性能研究

采用胶体晶体模板技术和磁控溅射工艺,制备了银反点阵列修饰TiO_2薄膜。用扫描电子显微镜、X射线衍射、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪等手段对复合薄膜的结构和光催化性能进行了表征。结果表明,银反点阵列具有优良的导电性能,可有效抑制光生载流子的复合,增强载流子输运的效率,使TiO_2的光催化性大幅提升。

Ag反点阵列修饰TiO_2薄膜的制备及光催化性能研究

采用胶体晶体模板技术和磁控溅射工艺,通过调制溅射功率,制备了一系列不同形貌的Ag反点阵列修饰TiO2复合薄膜.通过扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD),紫外-可见分光光度计(UV-Vis)和四探针测试仪等手段对样品的结构和光催化性能进行了表征.实验结果表明:Ag反点阵列的形貌对样品光催化性能有显著影响.随着反点孔径的减小,其导电性能迅速提升,样品的光催化性能逐渐增强.孔径为710nm时,复合薄膜的光催化性能达到最高.随后,继续减小孔径,样品的光催化性能出现了一定程度的下降,这是载流子损耗增多和遮光面积增大引起的.经Ag反点阵列修饰的样品的光催化性能均明显优于TiO2薄膜,主要是由于反点阵列可有效分离光生载流子,因此使其光催化活性得到显著提高.

Au反点阵列孔径对Au/TiO_2复合薄膜光催化性能的影响

通过对胶体晶体模板的反向复制,制备了反点阵列孔径各异的Au/TiO2复合薄膜.采用SEM,AFM,XRD,UV-Vis和四探针测试仪等手段对复合薄膜的结构和光催化性能进行了表征.通过对胶体晶体模板和反点阵列几何模型的计算,讨论了Au反点阵列在TiO2薄膜表面的覆盖面积与模板中微球粒径的关系.结果表明:反点阵列孔径对复合薄膜的光催化性能有显著影响.孔径增大,使反点阵列的导电性能提高,载流子的输运效率增强,促使光催化性能的提高;同时,孔径增大又造成光生电子向反点阵列迁徙过程中的复合几率加大,反而使光催化性能降低.2种作用共同导致了Au/TiO2复合薄膜的光催化性能随Au反点阵列孔径的增大出现先提高后降低的变化规律,并在孔径为3.3μm时达到最高.

Co反点阵列薄膜的制备及形貌对其磁性的影响

采用胶体晶体模板方法，通过变换聚苯乙烯（PS）微球粒径和溅射时间制备了相同厚度的孔径1-5μm的Co反点阵列薄膜。利用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）和振动样品磁强计（VSM）考察了样品的结构和磁学特性。发现Co反点阵列薄膜的矫顽力和剩磁比最大达到253．18×10-4T和0．85，分别为Co薄膜的3．4和2.3倍，并且随孔径的增大逐渐降低。结合理论分析结果表明，Co反点阵列薄膜本身的形状各向异性是其取得优良磁学性能的原因，孔径和孔间距这两种形状因素造成的形状各向异性的变化是其磁性发生变化的物理本质。

纳米反点阵列技术及其技术标准化的模式探讨

本文对纳米反点阵列技术及其市场应用的前景做了简单介绍,并从科技成果转化的角度出发,结合我国纳米科技创新领域中"技术难以顺利转化为产品"的技术壁垒,对纳米反点阵列技术向技术标准的转化模式进行了探讨,为实现纳米技术成果的转化及其标准的制定具有一定的参考意义。

Ag/TiO_2/ITO紫外探测器的制备及其光电性能

采用胶体晶体模板技术,结合磁控溅射工艺,制备出光电性能较为优异的Ag反点阵列/TiO_2/ITO三明治结构紫外探测器。通过扫描电子显微镜(SEM)、XRD、四探针测试仪及半导体参数测试仪对探测器的微观结构和光电性能进行了测试与表征。结果表明:反点阵列孔径对探测器光电性能影响较为显著;随着孔径增大,探测器的暗电流逐渐增大,光电流先增大后减小,响应时间逐渐延长;孔径为4.2μm时,探测器的光电性能达到最佳;孔径较大的反点阵列电极,具有较高的电导率、较低的紫外光透过率以及较大的光生电子-空穴的复合概率。