MTM反熔丝单元编程特性研究

主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻越小。编程次数的增多可减小编程电阻,但离散性增大。

基于CMOS工艺平台反熔丝FPGA实现

由于反熔丝FPGA具有低功耗、高密度、可靠性高、抗辐射能力强以及设计上具有灵活性等优势，在军事和卫星领域得到广泛的应用。但由于工艺的限制，目前国内未见相关研究的报道。根据目前现状，利用现有的工艺，开发出一种可以与普通CMOS．Y--艺兼容的反熔丝单元。经过测试，其熔断后的电阻约为330Ω～400Ω，同时给出了基于此种反熔丝单元的阵列设计，体现了低功耗、高密度、易实现等优势。此设计不但满足了目前的工作需要，并为以后反熔丝电路的设计提供了有用的参考，为航天和军事领域的应用提供了有力的支持和保障。

反熔丝型FPGA电路过电应力失效分析

反熔丝电路作为航天领域广泛使用的核心芯片,其失效机理及是否与反熔丝器件相关尤为重要。对某款反熔丝电路电源过应力失效问题进行机理分析,同时通过逻辑分析并配合EMMI、红外等分析手段,对失效点进行物理定位。在此基础上,进一步通过FIB和SEM观察到时钟网络中某NMOS管漏结及布线发生了严重的电迁移,对电源过应力引起NMOS管漏结及布线电迁移失效进行了验证。针对该失效问题的预防措施,对引起电源毛刺的失效电容进行更换并确认,对电路失效部位版图进行抗电迁移版图加固,经过验证相关措施切实有效。