基于CMOS工艺平台反熔丝FPGA实现

由于反熔丝FPGA具有低功耗、高密度、可靠性高、抗辐射能力强以及设计上具有灵活性等优势，在军事和卫星领域得到广泛的应用。但由于工艺的限制，目前国内未见相关研究的报道。根据目前现状，利用现有的工艺，开发出一种可以与普通CMOS．Y--艺兼容的反熔丝单元。经过测试，其熔断后的电阻约为330Ω～400Ω，同时给出了基于此种反熔丝单元的阵列设计，体现了低功耗、高密度、易实现等优势。此设计不但满足了目前的工作需要，并为以后反熔丝电路的设计提供了有用的参考，为航天和军事领域的应用提供了有力的支持和保障。

存储器的研究和设计

反熔丝存储器具有低功耗、高密度、可靠性高、抗干扰能力强等优点,在强调高可靠性的特殊领域得到了广泛应用;采用一种ONO(oxidenitride-oxide)结构的反熔丝技术,熔结处的典型电阻为500Ω,同时给出了基于这种反熔丝单元的阵列设计,体现了低功耗、高密度、结构简单、容易实现等特点;为反熔丝电路设计提供了有用的参考,为航空航天等特殊领域的使用提供了有力的支持和保证。