Co纳米线阵列膜热处理前后的结构与磁性研究

在具有纳米级孔洞的多孔氧化铝模板上, 用电化学方法成功地制备出钴纳米线有序阵列复合膜. 分别用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射仪和振动样品磁强计(VSM)对样品进行了测试表征. 形貌和物相分析表明, 模板中的Co纳米线均匀有序, 彼此独立, 相互平行. 每根纳米线由一串微晶粒构成. Co纳米线属六方密堆积结构, 有很好的结晶取向, 晶体的c轴沿纳米线轴定向排列. 热处理能优化Co纳米线的结晶取向. 磁性研究显示, 纳米线长到一定程度后, 长度的增加不再影响它的矫顽力. 纳米线短和纳米线长时, 存在两种不同的磁化反转机制. 对短纳米线, 磁化反转机制为旋转型. 在这种机制中, 热处理导致矫顽力增大. 对长纳米线, 反磁化机制为畴壁位移. 在这种机制中, 热处理引起矫顽力减小. 微磁学计算模拟证明了它们的磁化反转机理.