铁电开关的尺寸效应

将Orihara-ishibashi铁电体统计理论用于三维立方铁电体,求出立方铁电畴反转过程中的反转体积比Q(t)和与开关电流相关的反转速率dQ/dt的表达式,并对不同系统尺寸作了数值计算.结果表明,开关电流随系统尺寸l变小而下降,在一定尺寸范围内(l<0.75),开关时间也随l减小而下降。

Cr底层中添加Ti对SmCo薄膜磁学性能的影响

采用直流磁控溅射法制备了SmCo/Cr,SmCo/CrTi 和SmCo/CrTi/Cr 系列薄膜。SmCo 薄膜的XRD 结果表明:在Cr 底层中添加Ti,得到的CrTi,CrTi/Cr 底层也是以(110)面择优取向的,但是和Cr 底层相比,衍射峰的位置由44.39°偏移到44.19°。薄膜的磁学性能由振动样品磁强计(VSM)测定,分析VSM 的测量结果可知,用CrTi 和CrTi/Cr做底层,SmCo 薄膜的矫顽力Hc、矩形比S、矫顽力矩形比S*的值都比Cr 底层的大,并且磁反转体积V*的值比Cr 底层的小。SmCo 薄膜的δM(H)曲线说明,Cr 做底层时,薄膜晶粒间的相互作用为极化作用,CrTi,CrTi/Cr 做底层时,薄膜晶粒间的相互作用为交换耦合相互作用。

振动样品磁强计在磁记录介质中的应用

采用7407型振动样品磁强计(VibratingSampleMagnetometer)对(FePt/C)10磁记录多层膜的磁学性质进行了测量,包括磁滞回线、直流退磁曲线(DCD)、等温剩磁曲线(IRM)及磁化强度与时间(M-t)的关系。通过磁滞回线可直接得到Hc、Mr、Ms、S*、Mr/Ms、SFD等宏观磁学性能参数;由DCD和IRM得到的δM曲线可用来研究晶粒间交换耦合作用;磁反转体积(Va)的计算通过DCD、M-t实验可实现,由此可以确定磁记录介质的热稳定性。