中子引起的单粒子反转截面的Monte Carlo模拟计算

单粒子效应是带电粒子在电子元器件中通过时，造成电子元器件的电离损伤，导致电子元器件的记录出错。考虑了１０—２０ＭｅＶ中子与硅反应的主要反应道，利用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法对中子射入硅器件中引起的单粒子反转进行模拟，得到质子、α粒子的能量、角度分布。考虑带电粒子在硅片中引起的电离损伤，对不同临界电荷，计算了在１６Ｋ动态ＲＡＭ硅片中有一个灵敏单元发生反转时，中子入射注量及相应的单粒子反转截面。给出了反转截面与灵敏单元不同长宽比值和不同入射中子能量值的关系。