二维各向异性海森伯反铁磁性的Schwinger-Boson平均场解法

运用共振价键概念和Schwinger-Boson平均场近似,研究了二维正方格子上的各向异性Heisenberg反铁磁性。结果表明,耦合率α=J_y/J_x达到临界值α_0时,系统发生有序一无序相变;α>α_0时,温度超过T_N(Nèel温度),发生有序一无序相变;α<α_0时,系统存在能隙,各向同性的一维和二维系统具有共同的失耦温度T_D。当温度接近T_D时,共振价键序参量迅速减为零。

反铁磁性交换作用对稀磁半导体(DMS)居里温度的影响

DMS的居里温度与空穴载流子浓度有着极大的关系。基于局域空穴模型,本文定量地分析了反铁磁性交换作用对DMS居里温度的影响。结果表明反铁磁性交换作用对居里温度的影响与磁性离子浓度ni和空穴浓度nc的比值有着密切关系.当ni/nc>10000 时,反铁磁性交换作用对居里温度的影响十分显著;当 ni/nc<10时,反铁磁性交换作用对居里温度的影响将会明显减弱,随着空穴浓度的增加,空穴对反铁磁性交换作用有强的抑制作用。

反铁磁性交换作用对p、n型掺杂的GaAs居里温度的影响

居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁磁性交换作用有关,而与掺杂浓度无关;对n型半导体居里温度与反铁磁性交换作用和掺杂浓度都有关,而且高掺杂浓度下居里温度比低掺杂浓度下居里温度低。

反铁磁性物质FeCO3基态^5D的精细分裂

在弱场图象下，利用Ｒａｃａｈ不可约张量算符法得到了三角对称ｄ４，５电子组态的完全能量矩阵．在ＶＡＸ－Ⅱ计算机上采用完全对角化方法，首次成功地解释了ＦｅＣＯ３基态５Ｄ的精细分裂谱．

反铁磁性交换作用对(Ga,TM)As居里温度的影响

基于Zener模型,详细分析了反铁磁性交换作用对(Ga,TM)As(TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)居里温度的影响,结果表明,反铁磁性交换作用对n型半导体居里温度的影响程度远远大于对p型半导体居里温度的影响,而且在考虑了反铁磁性交换作用后,除了(Ga,Cr)As和(Ga,Mn)As以外都不可能实现室温铁磁性,(Ga,Cr)As和(Ga,Mn)As的掺杂浓度为13.1%和18%时可获得室温铁磁性,但是反铁磁性交换作用相对强弱增强到y=0.01时,任何掺杂浓度都不能实现室温铁磁性。

反铁磁性超微氧化铬的制备

用硝酸铬(或氯化铬)溶液与碳酸氢铵(碳酸铵)溶液反应生成一种组成稳定的中间物[Cr_2(NH_3)_2(CO_3)_2(OH)_2(H_2O)_2]·3Cr(OH)_3·2NH_4HCO_3·H_2O,经520℃热分解得到粒径为0.05μm的且有反铁磁性的Cr_2O_3。

以4-硝基-邻苯二甲酸根为桥基配体的反铁磁双核锰(Ⅱ)配合物的合成与磁性

合成了两种新型双核锰 ( )配合物 ,[Mn2 (4 - NO2 - phth) (L ) 4](Cl O4) 2 ,4- NO2 - phth代表 4-硝基 -邻苯二甲酸根二价阴离子 ,L是 1,10 -邻菲啉 (缩写为 phen)或 2 ,2 '-联吡啶 (bpy)。测量了配合物的变温磁化率 (77～ 30 0 K)。基于自旋哈密顿算符 ,H=- 2 JS1 · S2 (S1 =S2 =5 /2 ) ,对磁数据进行了优化拟合 ,给出的交换积分 J分别为 - 2 .92 cm- 1 (phen)和 - 2 .5 6 cm- 1 (bpy) ,结果表明 :配合物顺磁离子间存在着反铁磁自旋超交换作用。

Cr2O3中反铁磁自旋波的低频拉曼光谱研究

反铁磁自旋波在高速和低能耗信息处理方面具有很大潜力。然而,在反铁磁体系中激发和检测太赫兹自旋波是具有挑战性的。在本工作中,我们验证了低频拉曼光谱可作为探测反铁磁体系中自旋波的有力工具。我们通过拉曼光谱系统研究了典型的单轴反铁磁体Cr2O3中的反铁磁自旋波,我们的测量范围低至2.3 cm-1(69 GHz)。我们分析了自旋波的塞曼劈裂和自旋翻转相变。我们进一步通过偏振拉曼的方式确定了自旋波能支的角动量符号。我们还得到了Cr2O3的各向异性能,g因子和自旋翻转场随温度和磁场变化的函数关系。自旋波重整化理论解释了所有实验观测结果。

面心立方点阵上Ising自旋1/2系统反铁磁性和AB合金超点阵的统计理论——配分函数的级数展开法

本文使用配分函数级数展开法,作出面心立方(fcc)点阵上具有最近邻交换作用-J的Ⅰ型反铁磁系统(Ising自旋1/2)的统计理论,引入了0^+的次近邻相互作用以排除基态的简并问题,写出高温无序态的自由能的tanh(J/kT)的幂级数和低温有序态的自由能的exp(-4J/kT)的幂级数,运用求Pad近似式得出两者在温度T_c=1.74J/k处相交,故其顺磁-反铁磁的转变为一阶相变,我们算出了有关的物理量,长程和短程有序度、内能、熵、比热以及磁化率等随温度变化的曲线,它们都在T_c点出现突变,其潜热Q=T_c△S=0.44J,fcc上以CuAuI为典型的合金有序化问题与上述课题虽然是不同的物理对象,但它们的自由能的表式是同一的,因而以上算出的相交特征和相应的物理量对于二者都同样适用,最后我们还解析地证明了T_c-H曲线在H=0点T_c为极大值。

二维工s5ng反铁磁一反铁磁超晶格的磁性

本文用相关有效场理论讨论了二维I si ng反铁磁-反铁磁超晶格(AFAFS)在无外场时的临界温度与超晶格元胞厚度及超晶格中每一层的磁化强度与温度的依赖关系。并从超晶格的对称性出发讨论了反铁磁-反铁磁超晶格和铁磁-铁磁超晶格之间的异同。

铁磁性及Hubbard U值对黄铜矿密度泛函理论计算的影响

黄铜矿具有反铁磁性,在密度泛函理论(DFT)计算过程中,磁性设置对计算的准确性非常重要,另外Hubbard U值对具有电子强关联性的Fe 3d轨道的修正对获得正确的电子结构也至关重要。研究了铁磁性、反铁磁性和Hubbard U值修正对黄铜矿密度泛函理论计算结果的影响。结果表明,没有设置U值修正会导致晶格常数偏离实验值较远,只有在反铁磁性和2.0eV的U值同时设置条件下,黄铜矿的晶格参数与带隙值才非常接近实验值。无任何磁性设置时,表面结构弛豫变化较大,并且捕收剂乙基硫氨酯(Z-200)不能吸附;铁磁性设置对Cu的结构弛豫影响大于Fe的结构弛豫,反铁磁性设置对这两种金属元素的弛豫影响相同,都使其在表面上与S成键后呈近似平面的结构;另外,Z-200在铁磁性表面的吸附弱于在反铁磁性表面的吸附。研究表明反铁磁性设置和Hubbard U修正对黄铜矿的密度泛函理论计算非常重要,该研究为黄铜矿的密度泛函理论计算提供了参考。

反铁磁性铜配合物密度泛函理论研究

应用密度泛函理论结合破损态方法对铜配合物(bmim)2[Cu 3(μ3-OH)(μ-Cl)(μ-pz)3Cl 3](bmim+=1-丁基-3甲基咪唑阳离子,pz-=吡唑阴离子)磁性质进行理论研究.通过八种密度泛函方法(B3P86,B3LYP,PBE,PBE0,B3PW91,BP86,BLYP,M06)在五种基组(LANL2DZ,6-31G-SVP,TZVP-SVP,6-31G,SDD)水平下对该配合物磁耦合常数计算的结果表明,实验数据与实验值符号一致,其中在BP86//6-31G-SVP水平上所得的耦合常数值为-99.61 cm-1,与实验数值(-98 cm-1)符合程度最为接近,说明单占据轨道间的能量劈裂是配合物表现反铁磁性耦合的原因.

反铁磁性物质FeCO_3基态~5D的精细分裂

反铁磁性物质ＦｅＣＯ３基态５Ｄ的精细分裂冯声祖（准南矿业学院基础课部２３２００１）ＦｅＣＯ３是一种具有强的各向异性的反铁磁性物质［‘］，它的磁性质主要是由Ｆｅ’“离子基态’Ｄ态受晶场和旋轨耦合作用所致。在ＦｅＣＯ。晶体中，中心离子Ｆｅ’”被六个最邻...

日本发现铁系超导材料的超导状态和反铁磁性状态可以同时存在

据《日刊工业新闻》报道,日本高能加速器研究机构与东京工业大学组成的研究小组共同研究发现,铁系超导材料在超导状态下,当电子浓度达到一定程度时,呈现反铁磁性状态。 研究小组使用氢代替氧合成含有铁、砷、镧等的铁系超导材料,造成电子浓度升高,当电子浓度达到0.4～0.5时,出现反铁磁性现象。迄今为止的研究表明,超导材料在电子浓度达到0.05以下时,出现反铁磁性现象;在电子浓度达到0．05～0．4时，呈现超导状态。这次发现表明铁系超导材料在一定的电子浓度条件下，超导状态和反铁磁性状态可以同时出现。

反铁磁性与超导电性共存的新型超导体

日本东京工业大学新近发现使用CeNiBi的新型超导体，是一种与其2008年发现的铁系超导体具有同样结晶结构的物质，显示出反铁磁性与超导电性共存的独特性质。具有承担超导电的轻电子与控制磁性的重电子交互重叠的构造。采用构成该材料的金属元素为原料，在真空中加热制成，母合金为Ni配料比偏低的铈镍铋，在4．2K以下观测到了超导电性。

具有反铁磁相互作用的双铁磁链中的非线性激发

采用双子格模型和相干态表示,研究了链与链之间存在反铁磁相互作用的双铁磁链系统中的非线性激发的性质,得到了孤子的宽度,能量及有效质量。

LaOFeAs的反铁磁能带结构

基于密度泛函理论(DFT),采用线性缀加平面波展式结合改进的局域轨道方法(APW+lo),对新型超导材料LaOFeAs的结构进行了计算和分析.反铁磁计算的结果表明,由于巡游电子的贡献,系统具有负的磁矩.费米面附近两种自旋电子的能带在Γ点附近具有显著差异,自旋向下的一条空带在此形成了与自旋向上未满填充导带局域相似的结构.而在其他K点,这两种自旋能带的结构基本相同.

冷塑性变形对γ─FeMnAlCr反铁磁合金电学性能的影响

研究了塑性变形对γ─ＦｅＭｎＡｌＣｒ反铁磁合金电学性能的影响．结果表明，随形变量增加，γ─ＦｅＭｎＡｌＣｒ合金的室温电阻率和剩余电阻率先下降，后增加，在形变量４．８９％处存在电阻率的极小．合金在Ｎｅｅｌ温度（ＴＮ）以上的平均电阻温度系数（ＴＣＲ）随形变而增加，在ＴＮ和电阻极小值温度（Ｔｍｉｎ）之间ＴＣＲ变化不大，而在Ｔｍｉｎ～室温之间ＴＣＲ有明显减小．试验还发现塑性变形对γ─ＦｅＭｎＡｌＣｒ合金的应力灵敏系数影响不大．试验结果表明，γ─ＦｅＭｎＡｌＣｒ合金可能存在某种程度的成分偏聚．

反铁磁光子晶体波导的性质

研究了平面反铁磁光子晶体波导的色散性质.这种光子晶体波导是由两个平行金属板之间填充一维反铁磁光子晶体构成.对FeF2/Vacuum光子晶体波导进行数值和理论分析表明:(1)电磁波模式是分立的,并且只有有限的几个;(2)存在三种不同的频率带隙,其中之一是光子晶体共有的,其宽度取决材料的介电性质,之二是来自反铁磁的共振性质,之三是来自波导的结构.