磁晶各向异性对反铁磁耦合纳米体系磁特性的影响

近几年来,我们国家在计算机技术领域当中取得了很大的进步和发展计算机技术的出现,由内而外地改变了,人们的生活方式和工作方式,在这样的大背景之下,我们国家很多行业也进行了相应的调整,尤其是通信工程和电子信息工程领域。通信工程和电子信息工程对于人们的日常交流起着非常关键的作用,它可以让人们交流的形式变得更加丰富和多样。要适应当今时代发展的需要,需要对通信工程和电子信息工程的发展与运用进行全面的探讨与分析。

层间反铁磁耦合双层薄膜的自旋波研究

重点研究了界面为反铁磁性耦合情况下,两层铁磁性薄膜中自旋波的本征模、色散关系及波形等问题,同时与界面为铁磁性耦合的结论作了比较,结果发现:界面耦合对膜中的体模影响不大,但是对于界面模有着重要的影响.

反铁磁耦合软磁/硬磁双层膜体系的交换弹性反磁化特性

基于微磁学理论研究了软磁/硬磁反铁磁交换耦合双层结构体系的反磁化特性,利用一维原子链模型模拟了其反磁化过程。研究表明:当考虑了软磁层的磁晶各向异性能后,随着软磁层厚度的增大,交换弹性反磁化过程从可逆过程转变为不可逆过程。存在一个临界的软磁层厚度tc,当软磁层厚度ts<tc时,交换弹性反磁化过程为可逆过程;而当ts>tc时,交换弹性反磁化过程为不可逆过程。形核场Hb随软磁层厚度的变化仅当体系的反磁化过程为可逆的交换弹性反磁化过程时才满足经验公式Hb=Hb0/tsn。

磁晶各向异性对反铁磁耦合纳米体系磁特性的影响

采用微磁学方法研究了磁性层的磁晶各向异性对反铁磁耦合三层纳米体系磁特性的影响.结果表明:随着磁性层磁晶各向异性的增大,反铁磁耦合三层纳米体系具有4种不同类型的磁滞回线,上、下磁性层的反转场逐渐减小,而饱和场先减小后增大.当磁晶各向异性较小时,反磁化过程为反磁化核的形成与传播过程;当磁晶各向异性很大时,反磁化过程为先形成多畴微磁结构,再逐渐反转的过程.

反铁磁耦合双层膜结构体系的磁滞回线相图研究

基于Stoner-Wohlfarth模型研究了非对称型反铁磁耦合三层体系的磁滞特性,得到了不同磁层厚度以及磁参数下发生线性磁相变临界转换场的解析表达式,以及9种可能存在的不同类型易轴磁滞回线.基于磁相变的临界条件获得了非对称反铁磁耦合双层膜体系在k1-k2空间的磁滞回线相图.非对称反铁磁耦合双层膜体系作为磁隧道结的自由层时,相对于单层结构自由层具有更好的热稳定性.

反铁磁耦合纳米体系磁特性的微磁学研究

采用微磁学方法研究了磁层间反铁磁耦合强度对SyAF纳米体系磁特性的影响.当SyAF纳米体系上、下磁层间的反铁磁耦合强度不同时,SyAF纳米体系具有两种不同类型的磁滞回线.当磁层间反铁磁耦合强度较小时,体系的矫顽力随反铁磁耦合强度的增大而增大,反磁化机制为反磁化核的形成与传播的反转过程.而当磁层间反铁耦合强度较大时(>0.2×10-3J.m-2),体系的矫顽力基本不随反铁磁耦合强度变化,并且在剩磁态为稳定的单畴结构,反磁化机制为类一致反转过程.这类SyAF纳米体系更适合于作为磁信息器件中自旋阀的自由层.

反铁磁耦合双层膜纳米结构的自旋波本征特性

采用微磁学模拟方法研究了反铁磁耦合双层膜纳米结构的自旋波本征特性,获得了局域化和量子化自旋波模式频率以及空间分布特点。反铁磁耦合双层膜纳米结构的自旋波存在光学和声学模式两支,光学模式自旋波具有相对低的频率。光学模式自旋波频率随着层间反铁磁耦合强度的增大而线性减小,声学模式自旋波模式频率不受层间耦合强度的影响。

单畴Ni球观测及Ni_(core)NiO_(shell)的铁磁/反铁磁耦合研究(英文)

使用微波辅助聚合方法制备了单分散单畴Ni纳米球，由MFM发现，尺度分布在100-180nm的Ni球的一个相关特征是条型磁畴结构。用XRD、TEM、XPS以及EDAX测量了由Ni球进一步制备的NicoreNiOshell高度球型纳米结构。用VSM和SQUID进一步讨论了其铁磁／反铁磁界面耦合效应，估算了交换耦合场与粒子尺寸的关系。

反铁磁耦合的磁性颗粒薄膜材料及其制备和应用

专利申请号：CN200610013056．6 本发明涉及反铁磁耦合的磁性颗粒薄膜材料及其制备和应用，组成为Fex（TiO2）1-x，其中X为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0．40〈x〈0.76。本发明是采用直流磁控溅射技术，在氩气和氧气的混合气氛中，控制铁靶的溅射功率沉积。基片为玻璃、石英、聚酯、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。

反铁磁耦合硬磁-软磁-硬磁三层膜体系的不可逆交换弹性反磁化过程

采用一维原子链模型研究了反铁磁耦合的硬磁/软磁/硬磁三层膜体系的反磁化过程.研究结果表明,当考虑了软磁层的磁晶各向异性能后,软磁层厚度和界面交换耦合强度的改变都有可能导致软磁层的交换弹性反磁化过程由可逆过程转变为不可逆过程.对软磁层很薄的体系,其反磁化过程是典型的可逆交换弹性反磁化过程.然而,当软磁层厚度超过某一临界厚度tc时,反磁化过程转变为不可逆的交换弹性反磁化过程.软磁-硬磁界面交换耦合强度Ash对反磁化行为也有很大的影响.对于软磁层厚度小于临界厚度tc的体系,也存在一个临界界面交换耦合强度Acsh.当Ash大于Asch时,软磁层的反磁化过程是可逆的交换弹性反磁化过程;而当Ash小于Asch时,这一过程变为不可逆.给出了体系的可逆与不可逆交换弹性反磁化过程随软磁层厚度和界面交换耦合强度变化的磁相图.同时还研究了偏转场随软磁层厚度的变化关系.

反铁磁耦合记录介质的一级翻转曲线

用实验测量和微磁计算的方法得到了反铁磁耦合记录介质的一级翻转曲线.利用微磁计算的目的是便于正确地理解一级翻转曲线分布图.因为它可以把一级翻转曲线分布图中不同部分与相应的磁化翻转联系起来.这样一级翻转曲线就能被用来分析复杂磁化翻转及其相互作用的细节,而这种手段可以提供比通常用的ΔM方法更多的信息.

GdFeCo磁光薄膜中RE-TM反铁磁耦合与激光感应超快磁化翻转动力学研究

使用飞秒时间分辨抽运-探测磁光克尔光谱技术,研究了激光加热GdFeCo磁光薄膜跨越铁磁补偿温度时稀土-过渡金属(RE-TM)反铁磁交换耦合行为和超快磁化翻转动力学.实验观察到由于跨越铁磁补偿温度、净磁矩携带者交换而引起的磁化翻转反常克尔磁滞回线以及在同向外磁场下,反常回线上大于和小于矫顽力部分的饱和磁化强度不同,显示出GdFeCo中RE与TM之间的非完全刚性反铁磁耦合.在含有Al导热底层的GdFeCo薄膜上观测到饱和磁场下激光感应磁化态翻转及再恢复的完整超快动力学过程.与剩磁态的激光感应超快退磁化过程比较,发现外磁场似乎并不影响磁畴结核和扩张速率,只影响磁化方向.

磁性多层膜系统中的耦合方式理论研究

利用RKKY理论讨论磁性多层膜系统的耦合性质.编程计算了有限多层膜系统的交换作用能.计算结果显示:对于有限层系统,不论何种排列方式,其耦合能都会随着层间距的增大而正负值交替出现.但是其中能量最低的总是如下两种排列:铁磁和完美反铁磁.介于二者之间的耦合方式都是亚稳态.

体单轴各向异性对双层铁磁薄膜中自旋波共振谱的影响

重点研究了双层铁磁薄膜系统在层间反铁磁耦合下,体单轴各向异性对自旋波色散关系和共振谱的影响.结果表明:随着体单轴各向异性常数的增加,各类型模之间相互转化;高能禁闭模共振减弱,低能禁闭模和界面模共振增强.

颗粒型Ni/Pb不连续多层膜的铁磁共振研究

用射频磁控溅射方法制备了一系列颗粒型 N i/Pb不连续多层膜样品 ,并采用 X射线衍射方法表征了样品的微观结构。在铁磁共振实验中 ,观察到了一致进动模 (uniform m ode)和高场光学模 (optical mode)的共振吸收峰。主共振峰和光学模的峰位依赖于外磁场的角度及薄膜厚度。高场光学模的发现表明 ,颗粒型 N i/Pb不连续多层膜存在较强的反铁磁耦合 ,耦合强度随Pb层厚度以指数衰减形式变化。这与面内磁滞回线得到的饱和场随 Pb层厚度的变化关系定性上一致。

Co-Nb/Cr磁性多层膜的振荡耦合

Co—Nb／Cr磁性多层膜由高频溅射方法制得由振动样品磁强计测量作品的磁性能在2．67Pa溅射氩气压下，发现样品随Cr层厚度增加，铁磁层间出现铁磁性和反铁磁性的耦合振荡，饱和磁化强度Ms基本保持不变，而在0.67Pa溅射氩气压下，样品的饱和磁化强度Ms发生了振荡，这可能与其铁磁层中顺磁分量振荡变化有关.

Ca掺杂双钙钛矿锰氧化物La_2NiMnO_6的物性研究

通过磁化强度随温度变化曲线(M-T)和等温磁化曲线(M-H)可判定随着Ca的掺杂,系统的铁磁性减弱、反铁磁性增强;两样品的磁滞回线和2 K下磁滞回线的放大图可以说明Ca的掺杂对系统反位无序度的影响不大,但会导致系统的反相边界增加,反铁磁耦合增强;磁化率倒数随温度变化曲线χ^(-1)-T向上背离C-W定律,掺Ca后向上背离更明显,说明Ca掺杂增强了长程铁磁有序;最后我们讨论了系统磁熵和电性变化,同时阐述了Ca的掺杂使系统经历了弱一级相变。

双钙钛矿氧化物La2-xSrxNiMnO6（x=0,0.15）的电磁特性研究

采用固相反应法制备了双钙钛矿锰氧化物La2-xSrxNiMnO6(x=0,0.15)样品。XRD测试结果表明,两个样品成相良好,属于钙钛矿晶体结构;通过磁化强度随温度变化曲线(M-T)可判定Sr掺杂导致样品铁磁性减弱,反铁磁性增强,等温磁化曲线(M-H)可进一步证实这一结论;两个样品的磁滞回线、2K下的磁滞回线的放大图和拉曼光谱测试结果可以共同说明Sr的掺杂使得系统反位无序度和反位缺陷增大、反位无序之间的反铁磁耦合增强、反铁磁性反相边界增加;同时χ^-1-T曲线在居里温度附近向上背离居里-外斯定律情况有减弱的趋势,用反位缺陷与反铁磁耦合强度之间相对强弱关系的变化可以解释这一现象;掺Sr之后,LSNMO系统的FCC和FCW曲线不重合是一级相变的典型特征,用重标定曲线和Arrott曲线可以进一步证实这一现象;同时两样品的电阻率随温度变化结果表明La1.85Sr0.15NiMnO6的金属-绝缘体转变温度降低、在0和2T下测得的电阻率之间的差值增大。

磁记录技术的新发展

磁记录技术已经经历了一个世纪的发展 ,迄今仍然是最重要的信息存储技术。本文简要介绍硬磁盘、软磁盘和磁带等磁记录系统近年来在技术方面的主要进展。

氰根和酚氧桥联M(Ⅱ)-Mn(Ⅲ)(M=Ru和Os)二维配合物的合成、结构与磁性（英文）

基于六氰根构筑单元[M(Ⅱ)(CN)_6]^(4-)与[Mn(Ⅲ)(salen)]+模块反应合成了2个新型酚氧和氰根混合桥联的MⅡ-Mn(Ⅲ)配合物{[Mn(Ⅲ)(salen)]_4[Mn(Ⅲ)(salen)(H_2O)]_2[MⅡ(CN)_6]}(Cl O_4)2·2H_2O(M=Ru(1),Os(2),salen2-=双水杨酰胺乙基负离子)。单晶衍射结果表明:它们是结构类似的二维化合物,其中氰根桥联的七核[Mn(Ⅲ)6MⅡ]2+单元进一步通过双酚氧桥相互连接构成二维层状结构。磁性研究表明:2个化合物通过酚氧桥均呈现反常的反铁磁耦合,基于自旋哈密顿算符H=-2JMnMnSMn1SMn2拟合得到它们的磁耦合常数分别是J=-0.340 cm^(-1)(1)和-0.561 cm^(-1)(2)。