Mg杂质调控高Al组分AlGaN光学偏振特性

高Al组分(即原子分数)AlGaN带边发光以e光为主的发光特性,从根本上限制了沿c面生长器件的正面出光,成为光电器件发光效率急剧下降的主要原因.第一性原理模拟计算表明,AlxGa1-xN混晶的晶格常数比c/a偏离理想值程度随Al组分的增大而增大,导致晶体场分裂能Δcr从GaN的40meV逐渐减小;当组分达到0.5时呈现0值,Al组分继续提升,Δcr进一步下降,价带顶排列顺序翻转,直至AlN达到最低值-197meV.通过Mg掺杂应变AlGaN量子结构能带工程调控高Al组分AlGaN的价带结构,反转价带顶能带排序,实现光发射o光占主导,从根本上克服高Al组分AlGaN发光器件正面出光难的问题.

ZnO微米棒制备及其偏振光学特性分析

通过水热法成功制备出ZnO微米棒,对其基本物性进行了表征,并给出了其偏振发光特性。扫描电镜结果表明所获得的ZnO微米棒形貌较为均一,长10μm左右,直径约0.3μm。X射线衍射结果表明ZnO微米棒具有良好的结晶质量。以此为基础,搭建光路对偏振发光特性进行测试,发现圆偏光激发下ZnO微米棒的发光具有明显的各向异性,发光偏振度约0.43,表明ZnO微米棒在紫外偏振探测领域具有良好的应用前景。